[發(fā)明專利]密封環(huán)及具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610041242.4 | 申請日： | 2016-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN105470242A | 公開（公告）日： | 2016-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹云 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60;H01L21/761 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 密封 具有 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
密封環(huán)，所述密封環(huán)包括：襯底，所述襯底包括環(huán)形的第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)，所述第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)分別位于所述第一重?fù)诫s區(qū)兩側(cè)，且與所述第一重?fù)诫s區(qū)毗鄰，其中，第一重?fù)诫s區(qū)為第一類型摻雜，第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)為第二類型摻雜；分別位于所述第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)上的獨(dú)立的三個(gè)金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連結(jié)構(gòu)為多層堆疊的環(huán)形結(jié)構(gòu)，包括接觸通孔和金屬互連線，各層金屬互連線之間通過接觸通孔電連接；所述第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)分別通過所述接觸通孔與金屬互連線連接，第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成的兩個(gè)PN結(jié)均處于反偏；
被所述密封環(huán)包圍的芯片；
位于密封環(huán)外側(cè)的劃片槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一類型重?fù)诫s區(qū)為P型摻雜，第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)為N型摻雜；或者所述第一類型重?fù)诫s區(qū)為N型摻雜，第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)為P型摻雜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度為1E14atom/mm
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二重?fù)诫s區(qū)、第一重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)的寬度比例為30:888:30～459:30:459。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰金屬互連結(jié)構(gòu)中，位于同一層內(nèi)的金屬互連線之間的間距為1μm～2μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重?fù)诫s區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)表面形成有金屬硅物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)為N型摻雜，所述第二重?fù)诫s區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)表面的金屬互連結(jié)構(gòu)與電源電壓電連接；若所述第一類型重?fù)诫s區(qū)為N型摻雜，所述第一重?fù)诫s區(qū)表面的金屬互連結(jié)構(gòu)與電源電壓電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬互連結(jié)構(gòu)通過頂層的金屬互連線與電源電壓電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述密封環(huán)與芯片之間的距離為3μm～5μm。
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