[發明專利]一種DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法有效
申請號: | 201610040986.4 | 申請日: | 2016-01-21 |
公開(公告)號: | CN105679684B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
發明(設計)人: | 余正剛;鄒冠生;單春光;余會;馮華忠;余正偉 | 申請(專利權)人: | 中山市瑞寶電子科技有限公司 |
主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/02 |
代理公司: | 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 鄒常友 |
地址: | 528400 廣東省中山市南朗鎮大車工*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 dpc 工藝 用鏡面 氮化 陶瓷 活性 預處理 方法 | ||
1.一種DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法,其特征在于:它包括以下步驟:
步驟一;活化溶液的配制;活化溶液由催化劑、緩釋劑、活性鹽和添加劑混合而成,其中催化劑包括雙氧水、過硫酸鈉的任一種或二者混合,催化劑包括雙氧水、過硫酸鈉的任一種或二者混合,緩釋劑由乙二醇、甘油的任一種或二者混合,活性鹽由硝酸鈉、氟化銨和硝酸錳混合而成,添加劑為草酸、EDTA的任一種或二者混合,將選取的試劑按比例溶于去離子水中,30℃條件下攪拌,攪拌速度為200~2000轉/分鐘,30min~180min后過濾制得活化溶液;
步驟二;鏡面氮化鋁基板除油清洗;將鏡面氮化鋁基板浸入除油溶液中,用超聲清洗工藝清洗,去除鏡面氮化鋁基板表面的污垢,用去離子水沖凈其表面;
步驟三;鏡面氮化鋁基板除蠟清洗;將鏡面氮化鋁基板置于除蠟水中,超聲工藝清洗,除去鏡面氮化鋁基板表面因拋光殘留的蠟狀拋光膏,用去離子水沖凈其表面;
步驟四;鏡面氮化鋁基板表面活化反應;將除油處理過的鏡面氮化鋁基板浸泡于活化溶液中,并輔以超聲工藝,在催化劑的作用下,鏡面氮化鋁表面的Al元素和N元素發生化學反應,形成AlNM化學鍵(M=H、Na、NH4、Mn)和OAlF化學鍵,使其表面形成高浸潤、高活性的膜層;
步驟五;鏡面氮化鋁基板的熱處理;將已經形成高活性層的鏡面氮化鋁基板的表面用去離子水沖凈,冷風吹干氮化鋁基板表面,置于烘箱中烘烤,自然冷卻后得到DPC工藝用的高活性氮化鋁陶瓷基板。
2.根據權利要求1所述DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法,其特征在于:所述活化溶液中雙氧水的摩爾濃度為0.005~0.01mol/L,過硫酸鈉的摩爾濃度為0~0.005mol/L,乙二醇的摩爾濃度為0.0001~0.005mol/L,甘油的摩爾濃度為0~0.001mol/L,硝酸鈉的摩爾濃度為0~0.01mol/L,氟化銨的摩爾濃度為0.005~0.05mol/L,硝酸錳的摩爾濃度為0~0.01mol/L,草酸和EDTA的濃度均為0.005~0.01mol/L。
3.根據權利要求1所述的DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法,其特征在于:所述步驟二中鏡面氮化鋁基板除油清洗用的除油溶液為酸性除油液,溶度為50g/L~100g/L,超聲波頻率為40~80KHz,處理時間為15min~300min,超聲功率40%~90%,水溫30~40℃。
4.根據權利要求1所述的DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法,其特征在于:所述步驟三中鏡面氮化鋁基板除蠟清洗用的除油溶液為酸性除蠟液,溶度為100g/L~200g/L,超聲波頻率為40~80KHz,處理時間為15min~300min,超聲功率40%~90%,水溫50~75℃。
5.根據權利要求1所述DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法,其特征在于:所述步驟四超聲波頻率為40~80KHz,處理時間為15min~300min,超聲功率40%~90%,水溫30~40℃。
6.根據權利要求1所述DPC工藝用鏡面氮化鋁陶瓷基板的高活性預處理方法,其特征在于:所述步驟五中氮化鋁基板熱氧化處理的處理溫度100℃~150℃,保溫時間為30min~180min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中山市瑞寶電子科技有限公司,未經中山市瑞寶電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610040986.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:組合式車載平視顯示器
- 下一篇:一種車載平視顯示設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造