[發(fā)明專利]超薄晶片的拋光方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610040761.9
• 申請(qǐng)日: 2016-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992112A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏秋良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州新美光納米科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,韓鳳

1.超薄晶片的拋光方法，其特征是，包括以下步驟：

步驟一、在晶片非拋光面貼一層膠帶，或涂布膠體（401）并固化，或者先在晶片非拋光面涂布膠體（401）然后在固化的膠體表面黏貼膠帶，構(gòu)成一個(gè)整體厚度增加的貼膜芯片；所述膠帶包含兩層：膠膜（302）和提供機(jī)械力的表層膜（301），表層膜（301）通過(guò)膠膜（302）跟晶片結(jié)合在一起；

步驟二、將所述貼膜晶片吸附在模板（201）里面，晶片露出模板（201）外面的厚度在10μm~700μm，貼膜晶片整體嵌入模板（201）的厚度在10μm~700μm；

步驟三、對(duì)晶片實(shí)施拋光工藝，使晶片達(dá)到預(yù)定厚度；

步驟四、將貼膜晶片從模板（201）中取出，通過(guò)加熱或輻射方式去除膠帶或膠體（401），或者依次去除膠帶和膠體（401）。

2.如權(quán)利要求1所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述膠體（401）用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布，或者用貼膜法涂布，或者用噴膠法涂布；涂布后的膠體（401）直接進(jìn)行固化，或者先通過(guò)烘烤表面流平后固化。

3.如權(quán)利要求1所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述膠體（401）厚度在10nm~1500μm。

4.如權(quán)利要求2所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述固化方式為加熱或輻射方式。

5.如權(quán)利要求1所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述膠膜（302）的厚度在10nm~500μm，表層膜（301）的厚度在1μm~1000μm。

6.如權(quán)利要求1所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述膠膜（302）是樹脂類粘性物質(zhì)，且該膠膜（302）通過(guò)加熱或輻射方式作用后，黏性會(huì)降低或消失；所述表層膜（301）是塑料膜或者金屬薄膜。

7.如權(quán)利要求1所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述膠體通過(guò)加熱或輻射方式失去膠性，再通過(guò)水洗、等離子體氧化、有機(jī)去膠液浸泡工藝去除；或者所述膠體固化后形成一種膜，通過(guò)加熱或輻射方式使膜與晶片間失去黏性，再通過(guò)機(jī)械力將該膜從晶片上撕下來(lái)。

8.如權(quán)利要求1所述的超薄晶片的拋光方法，其特征是，所述依次去除膠帶和膠體（401）的方法為：先通過(guò)加熱或輻射方式使膠膜（302）黏性降低或者消失，將膠帶從晶片上取下使膠體（401）露出來(lái)；然后通過(guò)加熱或輻射方式使膠體（401）失去膠性，通過(guò)水洗、等離子體氧化、有機(jī)去膠液浸泡工藝將膠體（401）去除；或者通過(guò)加熱或輻射方式使膠體（401）固化形成的膜與晶片間失去黏性，通過(guò)機(jī)械力將該膜從晶片上撕下來(lái)。