[發(fā)明專利]晶片真空吸附模板及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610040623.0
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN105619240A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏秋良
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州新美光納米科技有限公司
• 主分類號: B24B37/30
• 分類號: B24B37/30
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;張濤

1.一種晶片真空吸附模板，包括外圈具有保護(hù)邊沿（6）的模板殼體（5）以及位于所述模板殼體（5）內(nèi)的吸附襯墊（7）；其特征是：還包括用于固定晶片（4）且與模板殼體（5）適配的晶片固定體，所述晶片固定體能與吸附襯墊（7）真空吸附連接，且晶片固定體與吸附襯墊（7）真空吸附連接后，與所述晶片固定體連接的晶片（4）位于保護(hù)邊沿（6）的保護(hù)范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片真空吸附模板，其特征是：所述晶片固定體包括連接吸附膜片（8）以及位于所述連接吸附膜片（8）上具有分解能力的膜片黏附層（9），晶片（4）能與膜片黏附層（9）固定連接，連接吸附膜片（8）能真空吸附在吸附襯墊（7）上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片真空吸附模板，其特征是：所述連接吸附膜片（8）的厚度為10μm~5mm，膜片黏附層（9）的厚度為10μm~300μm；所述膜片黏附層（9）的分解能力包括光解性或熱解性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片真空吸附模板，其特征是：所述晶片固定體包括吸附固定膜片（11），所述吸附固定膜片（11）內(nèi)設(shè)置若干允許晶片（4）嵌置并與所述晶片（4）相適配的晶片吸附固定孔，且吸附固定膜片（11）能與吸附襯墊（7）真空吸附連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片真空吸附模板，其特征是：所述晶片吸附固定孔呈方形或圓形，吸附固定膜片（11）的厚度為10μm~5mm，所述吸附固定膜片（11）的厚度不大于晶片（4）的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片真空吸附模板，其特征是：所述晶片固定體還包括連接定位膜片（12）以及與所述連接定位膜片（12）固定的吸附固定片（13），所述連接定位膜片（12）內(nèi)設(shè)置若干允許晶片（4）前置并與所述晶片（4）相適配的晶片連接定位孔，所述吸附固定片（13）能真空吸附在吸附襯墊（7）上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片真空吸附模板，其特征是：所述晶片連接定位孔呈方形或圓形，連接定位膜片（12）的厚度為100μm~1mm，所述吸附固定片（13）包括用于與晶片（4）以及連接定位膜片（12）固定的吸附粘附層，所述吸附粘附層與用于與吸附襯墊（7）真空吸附連接的吸附連接片。

8.一種晶片真空吸附模板的晶片固定方法，其特征是：將待拋光的晶片（4）與晶片固定體固定連接，所述晶片固定體采用真空吸附方式吸附在吸附襯墊（7）上，且與所述晶片固定體連接的晶片（4）位于保護(hù)邊沿（6）的保護(hù)范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片真空吸附模板的晶片固定方法，其特征是：所述晶片固定體包括連接吸附膜片（8）以及位于所述連接吸附膜片（8）上具有分解能力的膜片黏附層（9），晶片（4）能與膜片黏附層（9）固定連接，連接吸附膜片（8）能真空吸附在吸附襯墊（7）上。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片真空吸附模板的晶片固定方法，其特征是：所述晶片固定體包括吸附固定膜片（11），所述吸附固定膜片（11）內(nèi)設(shè)置若干允許晶片（4）嵌置并與所述晶片（4）相適配的晶片吸附固定孔，且吸附固定膜片（11）能與吸附襯墊（7）真空吸附連接。