[發(fā)明專(zhuān)利]低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610040587.8
• 申請(qǐng)日: 2016-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105632905A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李子健
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/268
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 袁江龍

本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其的制作方法，該制作方法包括：在玻璃基板上形成SiNx層；在SiNx層上依次形成SiOx層和a?Si層；用激光掃描a?Si層，以去除a?Si層中的氫；用準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶a?Si層，以形成多晶硅層；在多晶硅層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵極；在柵極上形成漏極絕緣層。該制作方法通過(guò)采用低能量激光掃描基板去除a?Si層中的氫，以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高溫?zé)岷婵臼饺洌绱丝梢员ＷC緩沖層中SiNx層H的含量不受影響，進(jìn)而在后續(xù)對(duì)多晶硅層進(jìn)行氫化處理的步驟中，緩沖層中SiNx層的H和漏極絕緣層中的H同時(shí)作為補(bǔ)氫的氫源，這會(huì)使多晶硅層的補(bǔ)氫過(guò)程更加完全，補(bǔ)氫效果更好，提高TFT的電性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示中薄膜晶體管的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法。

背景技術(shù)

在LTPS TFT(Low Temperature Poly-silicon，Thin Film Transistor,低溫多晶硅薄膜晶體管)的制作過(guò)程中，為了使多晶硅層達(dá)到化學(xué)鍵飽和狀態(tài)，進(jìn)而鈍化多晶硅層的內(nèi)部缺陷，一般需要對(duì)多晶硅層進(jìn)行補(bǔ)氫處理，在對(duì)多晶硅層進(jìn)行補(bǔ)氫的過(guò)程中，需要讓SiNx膜內(nèi)的氫擴(kuò)散到多晶硅膜層中。眾所周知，SiNx的成膜溫度越低，SiNx膜層內(nèi)H含量高，一般后續(xù)制程受熱溫度不超過(guò)400℃時(shí)就不會(huì)明顯影響到SiNx層中H含量。目前使用的補(bǔ)氫工藝采用的氫源膜層為漏極絕緣層(ILD)中的低溫SiNx，由于氫源單一，因此，補(bǔ)氫效果較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于氫源單一而使補(bǔ)氫效果差，進(jìn)而導(dǎo)致TFT電性不理想的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元的制作方法，所述制作方法包括：

在玻璃基板上形成SiNx層；

在所述SiNx層上依次形成SiOx層和a-Si層；

用激光掃描所述a-Si層，以去除所述a-Si層中的氫；

用準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶所述a-Si層，以形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極；

在所述柵極上形成漏極絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在玻璃基板上形成SiNx層步驟具體為：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在200～300℃溫度下形成SiNx層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在所述SiNx層上依次形成SiOx層和a-Si層的步驟是在400～500℃的溫度環(huán)境下形成。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在用激光掃描所述a-Si層，以去除所述a-Si層中氫的步驟中，所采用激光的能量密度為200～300mJ/cm2。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在用準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶所述a-Si層，以形成多晶硅層的步驟中，所采用準(zhǔn)分子激光的能量密度為380～480mJ/cm2。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在所述柵極絕緣層上形成柵極的方法為物理氣相沉積法。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述漏極絕緣層包括設(shè)于所述柵極外周的SiOx層以及設(shè)于所述SiOx層上的SiNx層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在所述柵極上形成漏極絕緣層的步驟之后還包括：加熱低溫多晶硅薄膜晶體管單元，以對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行氫化處理，其中，所述漏極絕緣層中的SiNx層以及所述玻璃基板上的SiNx層同時(shí)作為氫化處理過(guò)程中氫的來(lái)源。