[發明專利]電壓調節電路及其輸出調節電壓生成方法、集成電路

有效

• 申請號: 201610040314.3
• 申請日: 2016-01-20
• 公開（公告）號: CN105654990B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 廖英豪
• 申請（專利權）人: 深圳市紫光同創電子有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 江婷;李發兵

本發明提供了一種電壓調節電路及其輸出調節電壓生成方法、集成電路，該方法包括：調整驅動管電路，包括多個驅動單元、以及采樣點，驅動單元輸出調節電壓，采樣點對驅動單元的輸出調節電壓進行采樣；輸出調節電壓修正電路，與采樣點連接，通過采樣點對至少兩個驅動單元的輸出調節電壓進行采樣，根據采樣得到的至少兩個輸出調節電壓生成反饋電壓，并經過電阻反饋網絡比例輸出至目標電路。通過本發明的實施，通過對LDO輸出電壓值的整理與校正之后，輸出電壓值從統計上平均來看，更趨近于實際要求的輸出電壓值，解決了現有LDO與SRAM Memory cell相連的單元節點處的輸出平均電壓與目標輸出調節電壓差異過大的技術問題。

技術領域

本發明涉及現場可編程陣列器件領域，尤其涉及一種LDO(low-drop output，電壓調節電路)及其輸出調節電壓生成方法、集成電路。

背景技術

SRAM(靜態隨機存儲器)是RAM(隨機存儲器)的一種，主要用于配置存儲單元數據位，在消費類電子里使用很多；在SRAM電路里的存儲單元(memory cell)，以陣列方式分布，具有獨立的地址線以及數據線；隨著工藝尺寸的進一步降低，SRAM單元的密度越來越高，對于SRAM單元的電源也越來越敏感；SRAM單元的電源變化，直接影響SRAM單元后續模塊的timing要求的margin。因此，在SRAM LDO設計中，一個隨PVT(工藝，電源電壓，溫度)變化相對較小的LDO，在VLSI(超大規模集成電路)設計中，已經成為極為關鍵一步。

目前在SRAM LDO設計中，SRAM LDO架構主要包括運算放大器電路與調整驅動管(regulator drive ring MOSFET)電路兩部分；由于SRAM Memory cell單元數量多，因此，SRAM LDO需要提供非常大的Drive ring，以保證對于SRAM Memory cell單元能均勻驅動,而Driver ring的布局布線及寄生的電阻電容將影響SRAM LDO輸出電壓調節值的一致性：由不合理的布局布線以及版圖寄生電阻導致的Driver ring與Memory cell單元相連的單元節點處的輸出值差異，而PVT以及器件失配引起的SRAM LDO實際輸出與理想的LDO輸出電壓存在差異，將導致一致性惡化。

因此，本領域技術人員亟待提供一種LDO，以解決現有LDO與SRAM Memory cell相連的單元節點處的輸出平均電壓與目標輸出調節電壓差異過大的技術問題。

發明內容

本發明提供了一種LDO及其輸出調節電壓生成方法、集成電路，以降低現有LDO與SRAM Memory cell相連的單元節點處的輸出值差異。

本發明提供了一種電壓調節電路，其包括：

調整驅動管電路，包括多個驅動單元、及采樣點，驅動單元用于輸出調節電壓，采樣點用于對驅動單元的輸出調節電壓進行采樣；

輸出調節電壓修正電路，與采樣點連接，用于通過采樣點對至少兩個驅動單元的輸出調節電壓進行采樣，根據采樣得到的至少兩個輸出調節電壓生成反饋電壓，并經過電阻反饋網絡比例輸出至目標電路。

進一步的，還包括采樣點設置裝置，用于根據目標電路的網格化布局，在調整驅動管電路輸出電壓的不同位置設置采樣點。

進一步的，采樣點設置裝置具體用于根據目標電路的網格化布局，以行和/或列為單位劃分單元，根據劃分得到的子單元，在調整驅動管電路上選擇關鍵節點，將關鍵節點作為采樣點。

進一步的，輸出調節電壓修正電路具體用于將采樣得到的至少兩個輸出調節電壓進行平均值計算，生成反饋電壓。

進一步的，還包括修正模塊，用于當電壓調節電路的工藝、電源電壓、溫度變化時，根據與不同的電阻反饋網絡的反饋比例對應的輸出調節電壓與標準輸出調節電壓的差值屬性，修正電阻反饋網絡的反饋比例。