[發明專利]一種頻率補償的跨導放大器

有效

• 申請號: 201610040162.7
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN105720927B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 徐代果;胡剛毅;李儒章;王健安;陳光炳;王育新;劉濤;劉璐;鄧民明;石寒夫;王旭
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H03F1/14
• 分類號: H03F1/14
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316
• 代理人: 滑春生

1.一種頻率補償的跨導放大器，其特征在于，包括NMOS管M1和M2構成的跨導放大器輸入級，PMOS管M3和M4構成的跨導放大器第一級有源負載，恒流源Iss構成的跨導放大器第一級尾電流源，PMOS管M5構成的跨導放大器第二級輸入管，NMOS管M6構成的跨導放大器第二級恒流源，電容C_L構成的跨導放大器負載電容，增益級GAIN、補償電阻Rc和補償電容Cc順序串聯構成的跨導放大器頻率補償網絡；其中，

所述NMOS管M1和M2的柵極連接輸入信號Vin，所述NMOS管M1和M2的源極經恒流源Iss接地，所述NMOS管M1的漏極與增益級GAIN的一端、PMOS管M3的漏極、PMOS管M3和M4的柵極連接，所述NMOS管M2的漏極與PMOS管M4的漏極和PMOS管M5的柵極連接；

所述PMOS管M3、M4和M5的源極與電源電壓vdd連接，所述PMOS管M5的漏極、補償電容Cc的一端、NMOS管M6的漏極和電容C_L的一端相互連接形成一個連接節點，且該連接節點為所述跨導放大器的輸出端Vout，所述電容C_L的另一端接地，所述NMOS管M6的源極接地，柵極連接偏置電壓Vb。

2.根據權利要求1所述的頻率補償的跨導放大器，其特征在于，所述增益級GAIN包括NMOS管M7、NMOS管M8、阻抗R1和阻抗R2；其中，所述NMOS管M7的柵極與NMOS管M1的漏極、PMOS管M3的漏極、PMOS管M3和M4的柵極連接，所述NMOS管M7的漏極與NMOS管M8的柵極和阻抗R1的一端連接，所述NMOS管M7和M8的源極接地，所述NMOS管M8的漏極與補償電阻Rc和阻抗R2的一端連接，所述阻抗R1和R2的另一端與電源電壓vdd連接。

3.根據權利要求2所述的頻率補償的跨導放大器，其特征在于，所述阻抗R1和R2為有源器件構成或無源器件構成。

4.根據權利要求1所述的頻率補償的跨導放大器，其特征在于，所述增益級GAIN包括PMOS管M9、NMOS管M10、阻抗R3和阻抗R4；其中，所述PMOS管M9的柵極與NMOS管M1的漏極、PMOS管M3的漏極、PMOS管M3和M4的柵極連接，所述PMOS管M9的漏極與NMOS管M10的柵極和阻抗R3的一端連接，所述阻抗R3的另一端和NMOS管M10的源極接地，所述NMOS管M10的漏極與補償電阻Rc和阻抗R4的一端連接，所述PMOS管M9的源極和阻抗R4的另一端與電源電壓vdd連接。

5.根據權利要求4所述的頻率補償的跨導放大器，其特征在于，所述阻抗R3和R4為有源器件構成或無源器件構成。

6.根據權利要求1所述的頻率補償的跨導放大器，其特征在于，所述增益級GAIN的增益大小為40dB～60dB。