[發明專利]一種用于低溫焊接的免清洗納米漿料制備方法有效
| 申請號： | 201610040154.2 | 申請日： | 2016-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN105609426B | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 湯自榮;李俊杰;史鐵林;程朝亮;范金虎;廖廣蘭 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 武漢東喻專利代理事務所(普通合伙)42224 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 低溫 焊接 清洗 納米 漿料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于低溫焊接的免清洗納米漿料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)將有機增稠劑加入N-甲基-2-吡咯烷酮中經磁力攪拌形成溶液A，其中，攪拌溫度為50℃～70℃，攪拌時間為1小時以上，所述有機增稠劑的質量濃度為10g/L～20g/L，所述有機增稠劑為乙基纖維素或甲基纖維素；
2)將有機粘結劑加入所述溶液A中經磁力攪拌形成溶液B，其中，攪拌溫度為50℃～70℃，攪拌時間為1小時以上，所述有機粘結劑的質量濃度為10g/L～20g/L，所述有機粘結劑為聚乙酸乙烯酯或聚偏氟乙烯；
3)取m1g的納米金屬粉末和m2g的溶液B，在真空脫泡攪拌機中用2000轉/分～3000轉/分的速度真空攪拌300s～800秒，則得到納米漿料，其中，1：1≤m1：m2≤4：1。
2.根據權利要求1所述的一種用于低溫焊接的免清洗納米漿料的制備方法，其特征在于，所述納米金屬粉末為銅粉、錫粉、鋁粉、鎳粉、金粉或銀粉中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的一種用于低溫焊接的免清洗納米漿料的制備方法，其特征在于，所述納米金屬粉末的平均粒徑為30nm～800nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
