[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件以及制備方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610039853.5
• 申請(qǐng)日: 2016-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN106992143B
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 包小燕;董天化
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/528;H01L27/105
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務(wù)所
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成有柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底上和所述有源區(qū)上形成圖案化的半導(dǎo)體材料層，并在所述圖案化的半導(dǎo)體材料層上形成第一金屬硅化物阻擋層；

圖案化所述第一金屬硅化物阻擋層，以在所述柵極結(jié)構(gòu)的間隙壁底部上的所述半導(dǎo)體材料層上形成阻擋層間隙壁，以減小所述半導(dǎo)體材料層的坡度；

在所述柵極結(jié)構(gòu)、所述阻擋層間隙壁和所述有源區(qū)上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成第二金屬硅化物阻擋層并圖案化，以露出所述柵極結(jié)構(gòu)及其兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底、及其間隙壁上方的所述第一金屬層；

在露出的所述第一金屬層上形成第二金屬層并執(zhí)行退火步驟，以在所述柵極結(jié)構(gòu)及其間隙壁上方形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物，以形成半導(dǎo)體材料層互連結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)；

在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)上形成柵極材料層；

在所述柵極材料層上形成圖案化的第一掩膜層，以露出用于形成所述柵極結(jié)構(gòu)的區(qū)域，并進(jìn)行離子注入；

去除所述第一掩膜層，在所述柵極材料層上形成硬掩膜層；

圖案化所述硬掩膜層和所述柵極材料層，以在離子注入?yún)^(qū)域形成所述柵極結(jié)構(gòu)；

執(zhí)行LDD離子注入；

在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成間隙壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成圖案化的所述第一掩膜層與圖案化第二金屬硅化物阻擋層的工藝中選用相同的光罩。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一金屬硅化物阻擋層的步驟包括：

在所述柵極結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)上形成所述半導(dǎo)體材料層，以覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)；

圖案化所述半導(dǎo)體材料層，以在所述柵極結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)上形成相互間隔的半導(dǎo)體材料層；

執(zhí)行離子注入步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金屬層的厚度大于所述第一金屬層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為80～130埃；

所述第二金屬層的厚度為100～150埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬硅化物阻擋層和/或第二金屬硅化物阻擋層的厚度為280～350埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層選用Co或NiPt；所述第二金屬層選用Co或NiPt。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料層選用多晶硅層，以形成多晶硅互連結(jié)構(gòu)。

10.一種基于權(quán)利要求1至9之一所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

11.一種電子裝置，包括權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件。