[發明專利]一種SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法

有效

• 申請號: 201610038229.3
• 申請日: 2016-01-20
• 公開（公告）號: CN106991201B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 陳靜;黃建強;羅杰馨;柴展;呂凱;何偉偉
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓

1.一種SOIMOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：獲取SOI MOSFET在不同劑量輻照下開、關兩種工作狀態下的轉移特性數據與傳輸特性數據，其中，在開工作狀態下，施加在各端口的電壓為V_drain＝V_source＝V_body＝V_substrate＝0V，V_gate＝VDD，在關工作狀態下，施加在各端口電壓為V_drain＝V_source＝V_body＝V_substrate＝V_gate＝0V，其中，V_drain為漏極電壓，V_source為源極電壓，V_body為體區電壓，V_substrate為基底電壓，V_gate為柵極電壓，VDD為工作電壓；

S2：篩選步驟S1得到的數據，并導入測試數據到參數提取軟件；

S3：提取上邊角等效晶體管參數及場氧側壁等效晶體管參數；

S4：導出總劑量集約模型卡文件；

S5：導入各個單點的總劑量模型到所述參數提取軟件，生成全區域的總劑量Bin模型卡文件。

2.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，所述MOSFET為PMOS或NMOS。

3.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，采用鈷60輻照源進行輻照測試。

4.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，輻射劑量范圍是0～1000k rad/SiO₂。

5.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，至少采用兩種輻射劑量進行輻照測試。

6.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S2中，篩選步驟S1得到的數據包括如下步驟：計算每組測試數據各個劑量點的閾值電壓，如果該組數據的閾值電壓變化為隨劑量增大而單調減小，則選取該組數據。

7.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S2中，所述參數提取軟件為TIDFit。

8.根據權利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S2中，還包括設置器件的工藝參數、幾何參數及類型參數的步驟。

9.根據權利要求8所述的SOIMOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：還包括仿真沒有輻照前的器件轉移特性，并根據得到的亞閾值斜率值對所述工藝參數中的亞閾值斜率參數進行修正的步驟，修正之后重新仿真本底電流。

10.根據權利要求1所述的SOIMOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S3中，還包括調節上邊角等效晶體管參數及場氧側壁等效晶體管參數以修正曲線的擬合細節的步驟。

11.根據權利要求1所述的SOIMOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述上邊角等效晶體管參數包括上邊角柵氧厚度、上邊角閾值電壓、上邊角閾值電壓偏移、上邊角遷移率、上邊角劑量飽和因子、上邊角飽和速度及上邊角寬度中的一種或多種；所述場氧側壁等效晶體管參數包括場氧側壁柵氧厚度、場氧側壁閾值電壓、場氧側壁閾值電壓偏移、場氧側壁遷移率、場氧側壁劑量飽和因子、場氧側壁飽和速度、場氧側壁寬度及弱反型系數中的一種或多種。

12.根據權利要求1所述的SOIMOSFET總劑量模型參數確定方法，其特征在于：于所述步驟S4中，導出至少四種不同尺寸的SOIMOSFET的單點模型，其中，所述單點模型是指對應單一一種尺寸的模型。