[發(fā)明專利]一種SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610038229.3
• 申請(qǐng)日: 2016-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN106991201B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳靜;黃建強(qiáng);羅杰馨;柴展;呂凱;何偉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G06F30/20
• 分類號(hào): G06F30/20
• 代理公司: 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233
• 代理人: 宋纓

1.一種SOIMOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：獲取SOI MOSFET在不同劑量輻照下開、關(guān)兩種工作狀態(tài)下的轉(zhuǎn)移特性數(shù)據(jù)與傳輸特性數(shù)據(jù)，其中，在開工作狀態(tài)下，施加在各端口的電壓為V_drain＝V_source＝V_body＝V_substrate＝0V，V_gate＝VDD，在關(guān)工作狀態(tài)下，施加在各端口電壓為V_drain＝V_source＝V_body＝V_substrate＝V_gate＝0V，其中，V_drain為漏極電壓，V_source為源極電壓，V_body為體區(qū)電壓，V_substrate為基底電壓，V_gate為柵極電壓，VDD為工作電壓；

S2：篩選步驟S1得到的數(shù)據(jù)，并導(dǎo)入測(cè)試數(shù)據(jù)到參數(shù)提取軟件；

S3：提取上邊角等效晶體管參數(shù)及場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)；

S4：導(dǎo)出總劑量集約模型卡文件；

S5：導(dǎo)入各個(gè)單點(diǎn)的總劑量模型到所述參數(shù)提取軟件，生成全區(qū)域的總劑量Bin模型卡文件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，所述MOSFET為PMOS或NMOS。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，采用鈷60輻照源進(jìn)行輻照測(cè)試。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，輻射劑量范圍是0～1000k rad/SiO₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S1中，至少采用兩種輻射劑量進(jìn)行輻照測(cè)試。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S2中，篩選步驟S1得到的數(shù)據(jù)包括如下步驟：計(jì)算每組測(cè)試數(shù)據(jù)各個(gè)劑量點(diǎn)的閾值電壓，如果該組數(shù)據(jù)的閾值電壓變化為隨劑量增大而單調(diào)減小，則選取該組數(shù)據(jù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S2中，所述參數(shù)提取軟件為TIDFit。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S2中，還包括設(shè)置器件的工藝參數(shù)、幾何參數(shù)及類型參數(shù)的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SOIMOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：還包括仿真沒有輻照前的器件轉(zhuǎn)移特性，并根據(jù)得到的亞閾值斜率值對(duì)所述工藝參數(shù)中的亞閾值斜率參數(shù)進(jìn)行修正的步驟，修正之后重新仿真本底電流。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOIMOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S3中，還包括調(diào)節(jié)上邊角等效晶體管參數(shù)及場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)以修正曲線的擬合細(xì)節(jié)的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOIMOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述上邊角等效晶體管參數(shù)包括上邊角柵氧厚度、上邊角閾值電壓、上邊角閾值電壓偏移、上邊角遷移率、上邊角劑量飽和因子、上邊角飽和速度及上邊角寬度中的一種或多種；所述場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)包括場(chǎng)氧側(cè)壁柵氧厚度、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓偏移、場(chǎng)氧側(cè)壁遷移率、場(chǎng)氧側(cè)壁劑量飽和因子、場(chǎng)氧側(cè)壁飽和速度、場(chǎng)氧側(cè)壁寬度及弱反型系數(shù)中的一種或多種。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOIMOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，其特征在于：于所述步驟S4中，導(dǎo)出至少四種不同尺寸的SOIMOSFET的單點(diǎn)模型，其中，所述單點(diǎn)模型是指對(duì)應(yīng)單一一種尺寸的模型。