[發明專利]X射線平板探測器的像素結構及其制備方法、攝像系統

有效

• 申請號: 201610037923.3
• 申請日: 2016-01-20
• 公開（公告）號: CN105514029B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 田慧;徐傳祥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/77;H01L27/146
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種X射線平板探測器的像素結構，其特征在于，包括設置在襯底上的至少一個像素信號讀出電路，以及設置在所述像素信號讀出電路上的傳感器；

所述傳感器包括閃爍層和設置在所述閃爍層正下方的光電轉換器件，各所述像素信號讀出電路設置于所述光電轉換器件的下方；

所述像素信號讀出電路包括第一讀出電路，所述第一讀出電路包括觸控芯片和觸控電路，所述觸控電路包括多條感應電極和多條驅動電極；

所述感應電極在接收到來自所述光電轉換器件的圖像電荷時產生感應信號；

所述觸控芯片與所述觸控電路連接，用于向多條所述驅動電極發送驅動信號，以及檢測多條所述感應電極的感應信號，并確定驅動電極和感應電極之間的電容的變化量。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述傳感器中的閃爍層和光電轉換器件在襯底上的投影重疊。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述觸控電路為電容式觸控電路。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構包括第二讀出電路，所述第二讀出電路為開關晶體管，所述開關晶體管的漏極和源極中的一個與所述光電轉換器件的輸出端相連。

5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構包括第二讀出電路，所述第二讀出電路為開關晶體管，所述開關晶體管的漏極和源極中的一個與所述光電轉換器件的輸出端相連；所述第二讀出電路和第一讀出電路分別設置在所述襯底上，且兩者無交疊區域。

6.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述閃爍層為柱狀排列的晶體陣列，所述閃爍層的厚度為400-1000um。

7.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括設置在所述光電轉換器件和所述閃爍層之間的透明保護層。

8.一種基于權利要求1-7中任一項所述的X射線平板探測器的像素結構的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成至少一個像素信號讀出電路；

在所述像素信號讀出電路上形成傳感器；

其中，所述傳感器包括閃爍層以及設置在所述閃爍層正下方的光電轉換器件，各所述像素信號讀出電路設置于所述光電轉換器件的下方。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在襯底上形成至少一個像素信號讀出電路，包括：

在所述襯底上形成第一讀出電路的步驟；

其中，所述第一讀出電路包括觸控芯片和觸控電路，所述觸控電路包括多條感應電極和多條驅動電極；所述觸控芯片與所述觸控電路連接，用于向多條所述驅動電極發送驅動信號，以及檢測多條所述感應電極的感應信號，并確定驅動電極和感應電極之間的電容的變化量。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述在襯底上形成至少一個像素信號讀出電路，包括：

在所述襯底上形成第二讀出電路的步驟；

其中，所述第二讀出電路和第一讀出電路無交疊區域，所述第二讀出電路為開關晶體管，所述開關晶體管的漏極和源極中的一個與所述光電轉換器件的輸出端相連。

11.一種X射線平板探測器，其特征在于，包括如權利要求1-7中任一項所述X射線平板探測器的像素結構。

12.一種攝像系統，其特征在于，包括如權利要求11所述的X射線平板探測器。