[發明專利]雙溝寬脊型半導體光放大器及其制備方法

在審

• 申請號: 201610037070.3
• 申請日: 2016-01-20
• 公開（公告）號: CN105514801A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 于麗娟;劉建國;祝寧華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種雙溝寬脊型半導體光放大器，包括襯底以及生長其上的外延 層，外延層上部包括n型波導層、n型波導層上部的有源區量子阱層、有 源區量子阱層上部的p型包層和歐姆接觸層，其特征在于：

在所述歐姆接觸層部分區域垂直向下刻蝕至n型波導層中，形成雙溝 限制的脊型結構，所述雙溝為兩條互相平行的溝槽。

2.根據權利要求1所述的雙溝寬脊型半導體光放大器，其特征在于， 所述襯底為矩形襯底，所述溝槽在襯底上的投影為平行四邊形且與所述矩 形之間的傾角為1-10°。

3.根據權利要求2所述的雙溝寬脊型半導體光放大器，其特征在于， 所述傾角為5°。

4.根據權利要求1所述的雙溝寬脊型半導體光放大器，其特征在于， 所述脊型結構的寬度與所述脊型波導的厚度近似相等。

5.根據權利要求1所述的雙溝寬脊型半導體光放大器，其特征在于， 所述n型波導層厚度為4μm以上。

6.根據權利要求1所述的雙溝寬脊型半導體光放大器，其特征在于， 所述有源量子阱層的折射率大于所述n型波導層和p型包層的折射率。

7.根據權利要求1所述的雙溝寬脊型半導體光放大器，其特征在于， 光放大器使用的波長為1.55μm。

8.權利要求1-7任意一項所述光放大器與激光器、探測器或調制器的 集成應用。

9.一種雙溝寬脊型半導體光放大器的制備方法，包括以下步驟：

在襯底上生長含波導層的多層外延層，制成外延片；

在上述外延片上光刻出傾角1-10°的雙溝條形，將外延片腐蝕到波導 層，形成脊形波導，使得脊型的寬度等于波導的厚度。

10.根據權利要求9所述的雙溝寬脊型半導體光放大器的制備方法， 其特征在于，為保持側墻垂直于水平襯底，采用干法和濕法腐蝕相結合的 方法制備脊型波導。