[發明專利]硅基電光調制器傾斜PN結摻雜結構

有效

• 申請號: 201610036914.2
• 申請日: 2016-01-20
• 公開（公告）號: CN105511120B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 周治平;李心白
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種硅基電光調制器傾斜PN結摻雜結構，其特征在于，包括：

硅基電光調制器調制區波導，所述波導沿第一方向依次包括第一重摻雜區、第二輕摻雜區、第三輕摻雜區以及第四重摻雜區；

所述第二輕摻雜區與所述第三輕摻雜區形成至少一個縱向傾斜PN結和至少一個橫向傾斜PN結，所述縱向垂直于所述橫向；所述縱向與所述第一方向之間呈第一夾角，所述第一夾角大于0°且小于90°；所述縱向傾斜PN結的摻雜平面和/或所述橫向傾斜PN結的摻雜平面與第一平面之間呈第二夾角，所述第二夾角大于0°且小于90°，所述第一平面為所述波導中光的傳播方向與所述第一方向確定的平面；

其中，所述第一重摻雜區的摻雜類型與所述第二輕摻雜區的摻雜類型相同；所述第一重摻雜區的摻雜類型與所述第四重摻雜區的摻雜類型相反；所述第三輕摻雜區的摻雜類型與所述第四重摻雜區的摻雜類型相同。

2.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述第二輕摻雜區通過所述第一重摻雜區進行電學連接；

所述第三輕摻雜區通過所述第四重摻雜區進行電學連接。

3.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述波導為脊型波導，所述第一重摻雜區和第四重摻雜區分別形成于凸條區的兩側的平板區或凸條區上，所述第二輕摻雜區和第三輕摻雜區形成于所述凸條區和所述平板區上。

4.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述波導為側壁光柵波導，所述第一重摻雜區和第四重摻雜區分別形成于凸條區的兩側的光柵區上，所述第二輕摻雜區和第三輕摻雜區形成于所述凸條區和所述光柵區上。

5.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述第一重摻雜區、第二輕摻雜區、第三輕摻雜區以及第四重摻雜區中每一區域的摻雜形狀是任一內角不小于70°的多邊形。

6.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述第二輕摻雜區與所述第三輕摻雜區形成插指結結構。

7.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述第一重摻雜區和所述第四重摻雜區分別接驅動電路。

8.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述波導的形狀沿著光傳播的方向為彎曲的或非彎曲的。

9.如權利要求1所述的摻雜結構，其特征在于，所述波導的核心材料為半導體材料；所述波導的包層材料為非良導體材料。