[發(fā)明專(zhuān)利]一種納米發(fā)電機(jī)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610034682.7
• 申請(qǐng)日: 2016-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992247B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L41/113
• 分類(lèi)號(hào): H01L41/113;H01L41/22;H01L41/29;H02N2/18;B82Y40/00
• 代理公司: 44287 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 楊雪梅

1.一種納米發(fā)電機(jī)，包括：

正電極；

負(fù)電極，用于與所述正電極形成嵌套結(jié)構(gòu)；其中，

所述正電極為在硅襯底上形成氧化鋅納米棒陣列后形成的電極；所述負(fù)電極為在鋅襯底上形成氧化鋅納米針陣列后形成的電極；

其中，在氧化鋅納米棒振動(dòng)過(guò)程中，氧化鋅納米針相對(duì)氧化鋅納米棒向兩個(gè)相反的方向運(yùn)動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述正電極中的硅襯底為P型半導(dǎo)體材料，所述氧化鋅納米棒陣列為N型半導(dǎo)體材料；所述正電極中硅襯底與氧化鋅納米棒陣列的接觸區(qū)域形成有P-N異質(zhì)結(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述納米發(fā)電機(jī)還包括第一引線、第二引線和封裝件；所述第一引線和第二引線對(duì)應(yīng)與所述正電極和負(fù)電極連接；

所述封裝件，用于套設(shè)所述正電極和所述負(fù)電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述氧化鋅納米針陣列中氧化鋅納米針的長(zhǎng)度為5-10微米，直徑為200-800nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述氧化鋅納米棒陣列中氧化鋅納米棒的長(zhǎng)度8-12微米，直徑100-200nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述正電極和負(fù)電極均是采用水熱法而形成的。

7.一種納米發(fā)電機(jī)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在鋅襯底上形成氧化鋅納米針陣列；

在硅襯底上形成氧化鋅納米棒陣列；

將形成有氧化鋅納米針陣列的鋅襯底設(shè)置為負(fù)電極，將形成有氧化鋅納米棒陣列的硅襯底設(shè)置為正電極，以使氧化鋅納米針陣列與所述氧化鋅納米棒陣列形成嵌套結(jié)構(gòu)；

其中，在氧化鋅納米棒振動(dòng)過(guò)程中，氧化鋅納米針相對(duì)氧化鋅納米棒向兩個(gè)相反的方向運(yùn)動(dòng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述正電極中的硅襯底為P型半導(dǎo)體材料，所述氧化鋅納米棒陣列為N型半導(dǎo)體材料；所述正電極中硅襯底與氧化鋅納米棒陣列的接觸區(qū)域形成有P-N異質(zhì)結(jié)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

將第一引線、第二引線對(duì)應(yīng)與所述正電極和負(fù)電極連接；

將封裝件套設(shè)于所述正電極和所述負(fù)電極上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述在鋅襯底上形成氧化鋅納米針陣列，包括：

采用水熱法在鋅襯底上形成氧化鋅納米針陣列。

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述硅襯底上形成氧化鋅納米棒陣列，包括：

采用水熱法在硅襯底上形成氧化鋅納米棒陣列。

12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述氧化鋅納米針陣列中氧化鋅納米針的長(zhǎng)度為5-10微米，直徑為200-800nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述氧化鋅納米棒陣列中氧化鋅納米棒的長(zhǎng)度8-12微米，直徑100-200nm。