[發(fā)明專利]負(fù)離子源裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610034447.X | 申請日： | 2016-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN105810538B | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 衛(wèi)藤晴彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友重機(jī)械工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01J27/02 | 分類號： | H01J27/02;H01J37/08 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁場區(qū)域 負(fù)離子 負(fù)離子源 磁場生成部 面積增加 物質(zhì)附著 屏蔽 附著 磁場 過濾 高能量 功函數(shù) 生成量 侵入 | ||
【說明書】：
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