[發(fā)明專利]電子器件的開關(guān)控制裝置、方法和電子器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610032300.7
• 申請(qǐng)日: 2016-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN105656468A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林琳;孫偉;陳麗莉;陳忠君;李牧冰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種電子器件的開關(guān)控制裝置，所述電子器件包括接地端和高電平輸 入端，其特征在于，所述開關(guān)控制裝置包括：

高電平輸出單元，與所述高電平輸入端連接，用于向所述高電平輸入端輸 出具有預(yù)定幅值的高電平；所述預(yù)定幅值大于預(yù)定電壓；

邏輯電平輸出單元，用于輸出邏輯電平；以及，

開關(guān)單元，控制端接入所述邏輯電平，第一端與所述接地端連接，第二端 接入低電平，用于當(dāng)所述邏輯電平處于第一狀態(tài)時(shí)控制所述第一端與所述第二 端連接，以控制開啟所述電子器件，當(dāng)所述邏輯電平處于第二狀態(tài)時(shí)控制所述 第一端不與所述第二端連接，以控制關(guān)閉所述電子器件。

2.如權(quán)利要求1所述的電子器件的開關(guān)控制裝置，其特征在于，所述高 電平輸出單元具體用于分時(shí)向所述高電平輸入端輸出具有不同的預(yù)定幅值的 高電平。

3.如權(quán)利要求1或2所述的電子器件的開關(guān)控制裝置，其特征在于，所 述開關(guān)單元包括：開關(guān)晶體管，控制極接入所述邏輯電平，第一極與所述接地 端連接，第二極接入低電平。

4.如權(quán)利要求3所述的電子器件的開關(guān)控制裝置，其特征在于，所述開 關(guān)晶體管包括開關(guān)三極管；

所述開關(guān)三極管，基極接入所述邏輯電平，第一極與所述接地端連接，第 二極接入低電平。

5.如權(quán)利要求3包括所述的電子器件的開關(guān)控制裝置，其特征在于，所 述開關(guān)晶體管包括開關(guān)MOS管或開關(guān)TFT；

所述開關(guān)晶體管，柵極接入所述邏輯電平，第一極與所述接地端連接，第 二極接入低電平。

6.如權(quán)利要求5所述的電子器件的開關(guān)控制裝置，其特征在于，在所述 開關(guān)晶體管包括開關(guān)MOS管時(shí)，當(dāng)所述開關(guān)MOS管為N溝道增強(qiáng)型MOS 管或P溝道耗盡型MOS管時(shí)，當(dāng)所述邏輯電平處于第一狀態(tài)時(shí)，所述邏輯電 平為高電平，當(dāng)所述邏輯電平處于第二狀態(tài)時(shí)，所述邏輯電平為低電平；

在所述開關(guān)晶體管包括開關(guān)MOS管時(shí)，當(dāng)所述開關(guān)晶體管為P溝道增強(qiáng) 型晶體管或N溝道耗盡型晶體管時(shí)，當(dāng)所述邏輯電平處于第一狀態(tài)時(shí)，所述 邏輯電平為低電平，當(dāng)所述邏輯電平處于第二狀態(tài)時(shí)，所述邏輯電平為高電平。

7.一種電子器件的開關(guān)控制方法，所述電子器件包括接地端和高電平輸 入端，其特征在于，所述開關(guān)控制方法包括：

高電平輸出單元向電子器件的高電平輸入端輸出預(yù)定幅值的高電平；所述 預(yù)定幅值大于預(yù)定電壓；

邏輯電平輸出單元輸出邏輯電平；

當(dāng)所述邏輯電平處于第一狀態(tài)時(shí)，開關(guān)單元控制低電平接入所述電子器件 的接地端，以控制打開所述電子器件；當(dāng)所述邏輯電平處于第二狀態(tài)時(shí)，所述 開關(guān)單元控制所述電子器件的接地端懸空，以控制關(guān)閉所述電子器件。

8.如權(quán)利要求7所述的電子器件的開關(guān)控制方法，其特征在于，所述高 電平輸出單元向電子器件的高電平輸入端輸出預(yù)定幅值的高電平步驟包括：

所述高電平輸出單元分時(shí)向所述高電平輸入端輸出具有不同的預(yù)定幅值 的高電平。

9.如權(quán)利要求7或8所述的電子器件的開關(guān)控制方法，其特征在于，所 述開關(guān)單元包括開關(guān)晶體管；

所述當(dāng)所述邏輯電平處于第一狀態(tài)時(shí)，開關(guān)單元控制低電平接入所述電子 器件的接地端，當(dāng)所述邏輯電平處于第二狀態(tài)時(shí)，所述開關(guān)單元控制所述電子 器件的接地端懸空步驟包括：

當(dāng)所述邏輯電平為第一電平時(shí)，所述開關(guān)晶體管導(dǎo)通所述電子器件的接地 端與低電平輸入端之間的連接，當(dāng)所述邏輯電平為第二電平時(shí)，所述開關(guān)晶體 管斷開所述電子器件的接地端與低電平輸入端之間的連接，以使得所述電子器 件的接地端懸空。

10.一種電子器件，包括接地端和高電平輸入端，其特征在于，所述電子 器件還包括如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的開關(guān)控制裝置。