[發明專利]毫秒退火(DSA)的邊緣保護有效
| 申請號: | 201610031475.6 | 申請日: | 2009-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN105514001B | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發明(設計)人: | 布萊克·凱爾梅爾;羅伯特·C·麥金托什;戴維·D.L·拉馬尼亞克;亞歷山大·N·勒納;阿布拉什·J·馬約爾;約瑟夫·尤多夫斯凱 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 毫秒 退火 dsa 邊緣 保護 | ||
1.一種用于在處理腔室中處理基板的設備,包括:
基板支撐件;
能量源,將電磁能導引朝向該基板支撐件;以及
一個或多個能量阻擋器,設置在所述能量源和所述基板支撐件之間以至少阻擋所述電磁能的周圍部分,其中所述一個或多個能量阻擋器的每個包括用于與升舉構件接合的一個或多個凸出部,且所述升舉構件包括配置成與所述凸出部接合的一個或多個升舉銷。
2.如權利要求1所述的設備,其中所述凸出部的至少一個具有用于與升舉構件接合的一個或多個凹部。
3.如權利要求1所述的設備,其中所述一個或多個能量阻擋器的至少一個包括用于與所述基板支撐件上的銷緊配的一個或多個凹部。
4.如權利要求1所述的設備,其中每個能量阻擋器的一部分延伸于所述基板支撐件上方,并與所述基板支撐件分隔開。
5.如權利要求1所述的設備,其中所述一個或多個能量阻擋器的至少一個包括用于與所述基板支撐件上的一個或多個凹部緊配的一個或多個銷。
6.如權利要求1所述的設備,其中所述一個或多個能量阻擋器的至少一個包括一個或多個對準點。
7.如權利要求1所述的設備,其中所述能量阻擋器每個是不透明的。
8.如權利要求1所述的設備,其中所述能量阻擋器每個在處理期間支撐在所述基板支撐件上。
9.如權利要求1所述的設備,其中所述一個或多個能量阻擋器是環。
10.一種用于在處理腔室中處理基板的設備,包括:
基板支撐件;
能量源,將電磁能導引朝向所述基板支撐件;以及
一個或多個能量阻擋器,支撐在所述基板支撐件上并且至少阻擋所述電磁能的周圍部分,其中所述一個或多個能量阻擋器的每個包括對準點,其中所述一個或多個能量阻擋器的每個包括用于與升舉構件接合的一個或多個凸出部,且所述升舉構件包括配置成與所述凸出部接合的一個或多個升舉銷。
11.如權利要求10所述的設備,其中每個能量阻擋器的一部分延伸于所述基板支撐件上方,并與所述基板支撐件分隔開。
12.如權利要求10所述的設備,其中所述能量阻擋器的至少一個具有凸出部,并且每個凹部形成在凸出部中。
13.如權利要求12所述的設備,其中所述能量阻擋器每個是不透明的。
14.如權利要求10所述的設備,其中所述一個或多個能量阻擋器是環。
15.一種用于在處理腔室中處理基板的設備,包括:
基板支撐件;
能量源,將電磁能導引朝向所述基板支撐件;以及
一個或多個能量阻擋器,設置在所述能量源和所述基板支撐件之間以至少阻擋所述電磁能的周圍部分,其中所述一個或多個能量阻擋器的每個包括用于與升舉構件接合的一個或多個凸出部或凹部,且所述升舉構件包括配置成與所述凸出部接合的一個或多個升舉銷。
16.如權利要求15所述的設備,其中所述能量阻擋器的至少一個具有凸出部,并且每個凹部形成在凸出部中。
17.如權利要求16所述的設備,其中所述一個或多個能量阻擋器是環。
18.一種用于在熱處理腔室中退火基板的期望區域的能量阻擋器,包括:
環主體;
限定切除部分的延伸部;
從所述環主體的表面伸出的對準銷;以及
從所述環主體延伸的凸出部。
19.如權利要求18所述的能量阻擋器,所述能量阻擋器進一步包括圓形邊緣。
20.如權利要求18所述的能量阻擋器,其中所述對準銷位于所述環主體的內邊緣和外邊緣之間的中間。
21.如權利要求18所述的能量阻擋器,其中所述延伸部的厚度相對于所述環主體減少達80%。
22.如權利要求18所述的能量阻擋器,其中所述環主體由氧化鋁、氮化鋁、石英或碳化硅制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





