[發明專利]基于Co2VAl具有半金屬特性的異質結的制備方法

在審

• 申請號: 201610031172.4
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105633277A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 韓紅培
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.基于Co₂VAl具有半金屬特性的異質結的制備方法，其特征 在于，包括以下步驟：

第一步：構建界面結構；對于Co2VAl(111)表面，我們僅僅考 慮了兩個具有半金屬特性的端面：V和Al表面，而對于PbS，它有 兩個(111)表面：Pb和S表面；因此，在(111)方向上，在Co2VAl 和PbS之間存在四種界面：V–S,Al–S,V–Pb和Al–Pb。對于每一個 界面結構，我們考慮用25層的Co2VAl和13層的PbS來構建對稱性 的異質結；

第二步：對上述四種異質結進行結構優化；在優化的過程中，為 了盡可能的接近實際，允許Co₂VAl和PbS這兩種材料中距離界面最 近的5個原子層中的原子進行位置弛豫，其他原子位置固定；

第三步：根據界面能的定義，分別計算出此四種界面的界面能大 小并加以列表比較，獲得結構最穩定的異質結；

第四步：計算優化后異質結的態密度、磁矩、自旋極化等物理量； 對態密度和磁矩的計算，主要包括界面層、次界面層、中心層原子的 總態密度和d電子的分態密度及磁矩；

第五步：分析界面結構的態密度、磁矩、自旋極化等；對態密度 的分析，我們利用圖示法，而對磁矩和自旋極化的分析，利用列表比 較的工藝；

第六步：通過對第三和第五步中圖形表格的分析和比較，獲得具 有100％自旋極化且結構穩定的半金屬界面薄膜。