[發明專利]常壓低溫等離子體技術制備復合膜的方法

有效

• 申請號: 201610031058.1
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105617878B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 李戰勝;張春慶;夏玉萍
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: B01D69/12
• 分類號: B01D69/12;B01D67/00;B01D71/78;B01D61/14;B01D61/02;B01D61/36
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 梅洪玉;侯明遠

1.一種常壓低溫等離子體技術制備復合膜的方法，其特征在于，以非對稱聚丙烯腈超濾膜為多孔介質基膜，0.4mol/L的聚乙二醇甲基丙烯酸酯為大分子接枝單體，0.1mol/L的易引發的丙烯酸甲酯為共聚接枝單體，甲醇為溶劑；將非對稱聚丙烯腈超濾膜置于聚乙二醇甲基丙烯酸酯和丙烯酸甲酯混合溶液中，在45℃下恒溫靜置浸泡2小時，進行單體預涂覆；以氬氣為放電氣體，輻照預涂覆后的基膜，引發接枝反應，輻照功率密度60W/cm²，輻照時間90s；進行輻照后接枝反應制備復合膜。

2.一種常壓低溫等離子體技術制備復合膜的方法，其特征在于，以非對稱聚丙烯腈超濾膜為多孔介質基膜，0.45mol/L的聚乙二醇甲基丙烯酸酯為大分子接枝單體，0.1mol/L的易引發的丙烯酸甲酯為共聚接枝單體，甲醇為溶劑；將非對稱聚丙烯腈超濾膜置于聚乙二醇甲基丙烯酸酯和丙烯酸甲酯混合溶液中，在65℃下恒溫靜置浸泡0.5小時，進行單體預涂覆；以氬氣為放電氣體，輻照預涂覆后的基膜，引發接枝反應，輻照功率密度100W/cm²，輻照時間10s；進行輻照后接枝反應制備復合膜。

3.一種常壓低溫等離子體技術制備復合膜的方法，其特征在于，以非對稱聚丙烯腈超濾膜為多孔介質基膜，0.45mol/L的聚乙二醇甲基丙烯酸酯為大分子接枝單體，0.1mol/L的易引發的丙烯酸為共聚接枝單體，甲醇為溶劑；將非對稱聚丙烯腈超濾膜置于聚乙二醇甲基丙烯酸酯和丙烯酸混合溶液中，在15℃下恒溫靜置浸泡24小時，進行單體預涂覆；以氬氣為放電氣體，輻照預涂覆后的基膜，引發接枝反應，輻照功率密度60W/cm²，輻照時間90s；進行輻照后接枝反應制備復合膜。

4.權利要求1-3之一所述的方法制備的復合膜的應用，用于芳烴/烷烴的分離、含硫化合物/烴類化合物的分離。