[發明專利]發光二極管裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201610030848.8
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN106992195B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 陳智柔;陳標達;詹國維;蘇志宗;黃國晃;蔡凱勛
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光二極管裝置，包括：

半導體發光疊層，位于一基板上；

電極，位于該半導體發光疊層上，作為對外電性接合的用途；以及

保護層，覆蓋該電極的上表面，其中該保護層包括裂解溫度介于100℃～400℃的熱裂解材料。

2.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中該保護層更順應性覆蓋該半導體發光疊層，或/且該半導體發光疊層包含第一半導體層、發光層以及第二半導體層。

3.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中該保護層的材料包括氟基化合物材料，或/且該保護層的厚度介于10～500埃，或/且該保護層的可見光透明度高于60％，或/且該保護層的水接觸角大于90°，或/且該保護層通過旋轉涂布或浸泡的方式形成。

4.如權利要求1所述的發光二極管裝置，還包括：

電流阻障層，位于該半導體發光疊層上；以及

透明導電層，位于該半導體發光疊層上并覆蓋該電流阻障層，其中該透明導電層位于該半導體發光疊層與該電極之間，且該電流阻障層的位置對應該電極的位置。

5.如權利要求1所述的發光二極管裝置，還包括：

二氧化硅保護層，設置于該半導體發光疊層上，并暴露出該電極。

6.一種發光二極管裝置的制造方法，包括：

形成一半導體發光疊層于一基板上；

形成一電極于該半導體發光疊層上，作為對外電性接合的用途；以及

形成一保護層并覆蓋該電極的上表面，其中該保護層具有裂解溫度介于100℃～400℃的熱裂解材料；

對該發光二極管裝置進行一對外電性接合步驟；

其中在該對外電性接合步驟前、或該對外電性接合步驟后升溫至該裂解溫度，使該保護層裂解。

7.如權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其中該保護層更順應性覆蓋該半導體發光疊層，或/且該半導體發光疊層還包含一第一半導體層、一發光層以及一第二半導體層。

8.如權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其中該對外電性接合步驟包括：打線接合使一焊線穿過該保護層而與該電極電連接，或倒裝接合。

9.如權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其中該保護層的材料包括氟基化合物材料。

10.如權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，其中該保護層的厚度介于10～500埃，或/且該保護層的可見光透明度高于60％，或/且該保護層的水接觸角大于90°，或/且該保護層通過旋轉涂布或浸泡的方式形成。

11.如權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，還包括：

形成一電流阻障層于該半導體發光疊層上；以及

形成一透明導電層于該半導體發光疊層上并覆蓋該電流阻障層，其中該透明導電層位于該半導體發光疊層與該電極之間，且該電流阻障層的位置對應該電極的位置。

12.如權利要求6所述的發光二極管裝置的制造方法，還包括形成一二氧化硅保護層于該半導體發光疊層上，并圖案化該二氧化硅保護層以暴露出該電極。