[發明專利]一種p型硅太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201610030388.9
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105489708B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 麥耀華;陳兵兵;陳劍輝;許穎;代秀紅;劉保亭
• 申請（專利權）人: 河北大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 石家莊國域專利商標事務所有限公司13112
• 代理人: 胡素梅,白海靜

1.一種p型硅太陽能電池，其特征是，包括p型硅襯底，在所述p型硅襯底的正面和背面均制有金字塔狀的絨面結構，且絨面結構中金字塔的平均高度控制在1μm~15μm之間；在所述p型硅襯底的正面制有n⁺摻雜層，在所述n⁺摻雜層上制有減反射層；在所述減反射層上通過印刷、燒結工藝制有正面電極，所述正面電極穿過所述減反射層與所述n⁺摻雜層相接；在所述p型硅襯底的背面通過旋涂工藝制有背面鈍化層，所述背面鈍化層包括由鐵電薄膜材料或摻雜的鐵電薄膜材料制成的膜層，具體地，所述背面鈍化層包括鋯鈦酸鉛膜層、鐵酸鉍膜層、鈦酸鋇膜層和鈦酸鍶鋇膜層中的一種或任意兩種相互結合的疊層；所述背面鈍化層的厚度為3nm~600nm；在所述背面鈍化層上通過印刷、燒結工藝制有背面電極；所述p型硅太陽能電池是經穩壓電源極化后的太陽能電池，具體極化工藝為：采用穩壓電源對p型硅太陽能電池施加一恒定電壓或恒定電流，恒定電壓范圍為1V~50V，恒定電流范圍為0.01A~10A，極化時間為1s~100s。

2.根據權利要求1所述的p型硅太陽能電池，其特征是，所述背面鈍化層還包括由氧化鋁和/或氮化硅材料制成的膜層。

3.根據權利要求1所述的p型硅太陽能電池，其特征是，所述背面鈍化層在p型硅襯底背面的覆蓋率為5%~100%。

4.根據權利要求1所述的p型硅太陽能電池，其特征是，所述p型硅襯底為單晶或多晶p型硅襯底。

5.一種p型硅太陽能電池的制備方法，其特征是，包括如下步驟：

a、選取p型硅襯底，對所述p型硅襯底進行清洗及正面、背面制絨；制絨后在p型硅襯底的正面和背面形成金字塔狀的絨面結構，且絨面結構中金字塔的平均高度控制在1μm~15μm之間；

b、在所述p型硅襯底的正面通過摻雜制成n⁺摻雜層，并對p型硅襯底的邊緣進行刻蝕；

c、在所述n⁺摻雜層上制備減反射層；

d、在所述p型硅襯底的背面通過旋涂工藝制備背面鈍化層，并在溫度為450℃~700℃的條件下退火處理1min~90min，所述背面鈍化層包括由鐵電薄膜材料或摻雜的鐵電薄膜材料制成的膜層；具體地，所述背面鈍化層包括鋯鈦酸鉛膜層、鐵酸鉍膜層、鈦酸鋇膜層和鈦酸鍶鋇膜層中的一種或任意兩種相互結合的疊層；所述背面鈍化層的厚度為3nm~600nm；

e、通過印刷、燒結工藝制備正面電極，所述正面電極穿過所述減反射層與所述n⁺摻雜層相接；

f、通過印刷、燒結工藝在所述背面鈍化層上制備背面電極；

g、對上述制備的p型硅太陽能電池進行極化，具體極化工藝為：采用穩壓電源對上述制備的p型硅太陽能電池施加一恒定電壓或恒定電流，恒定電壓范圍為1V~50V，恒定電流范圍為0.01A~10A，極化時間為1s~100s。

6.根據權利要求5所述的p型硅太陽能電池的制備方法，其特征是，步驟a中所述p型硅襯底為單晶p型硅襯底；且在步驟a之后步驟b之前還包括如下步驟：對所述p型硅襯底的背面進行平坦化處理。