[發明專利]一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝

在審

• 申請號: 201610029977.5
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105586616A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 陸文華
• 申請（專利權）人: 蘇州市華婷特種電鍍有限公司
• 主分類號: C25D5/34
• 分類號: C25D5/34;C23G1/14;C23F1/16
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 徐萍

技術領域

本發明涉及電鍍產品及工藝領域，特別是涉及一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝。

背景技術

電鍍是通過化學置換反應或電化學反應在鍍件表面沉積一層金屬鍍層，通過氧化反應也可在金屬制品表面形成一層氧化膜，從而改變鍍件或金屬制品表面的性能狀態，使其滿足使用者對制品性能的要求。一般進行電鍍工藝的第一個步驟均是對待電鍍件進行處理，但現有的處理后的電鍍件電鍍后容易會出現鍍層剝落的現象，質量得不到保證。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝，鍍件電鍍后使用時間長。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝，包括步驟為：對待鍍件進行脫脂和浸蝕工序，所述脫脂工序中采用的化學脫脂液包括氫氧化鈉、十二水合磷酸三鈉、碳酸鈉和偏硅酸鈉，所述浸蝕工序中采用的化學浸蝕液包括質量分數為98%的硫酸、若丁和氯化鈉，所述化學浸蝕液的組分為：硫酸150-200g/L、若丁0.6-0.9g/L、氯化鈉50-100g/L。

在本發明一個較佳實施例中，所述化學脫脂液的組成為：氫氧化鈉50-60g/L、十二水合磷酸三鈉10-15g/L、碳酸鈉30-40g/L、偏硅酸鈉1-5g/L。

在本發明一個較佳實施例中，所述脫脂工序中所述化學脫脂液的溫度為75-80℃。

在本發明一個較佳實施例中，所述浸蝕工序中所述化學浸蝕液的溫度為45-55℃。

本發明的有益效果是：本發明的電鍍過程中對待鍍件預處理工藝，能夠去除鍍件表面的油脂和鈍化膜，使鍍件表面與鍍液具有良好的浸濕性，鍍件在電鍍前的表面具有非常好的狀態和凈潔程度高，得到的鍍件使用時間長，無鍍層剝落的現象發生。

具體實施方式

下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。

實施例一：

提供一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝，包括步驟為：對待鍍件進行脫脂和浸蝕工序。所述脫脂工序中采用的化學脫脂液包括氫氧化鈉、十二水合磷酸三鈉、碳酸鈉和偏硅酸鈉。所述化學脫脂液的組成為：氫氧化鈉50g/L、十二水合磷酸三鈉10g/L、碳酸鈉40g/L、偏硅酸鈉5g/L。所述脫脂工序中所述化學脫脂液的溫度為80℃。

所述浸蝕工序中采用的化學浸蝕液包括質量分數為98%的硫酸、若丁和氯化鈉。所述化學浸蝕液的組分為：硫酸170g/L、若丁0.8g/L、氯化鈉80g/L。所述浸蝕工序中所述化學浸蝕液的溫度為50℃。

實施例二：

提供一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝，包括步驟為：對待鍍件進行脫脂和浸蝕工序。所述脫脂工序中采用的化學脫脂液包括氫氧化鈉、十二水合磷酸三鈉、碳酸鈉和偏硅酸鈉。所述化學脫脂液的組成為：氫氧化鈉60g/L、十二水合磷酸三鈉15g/L、碳酸鈉30g/L、偏硅酸鈉1g/L。所述脫脂工序中所述化學脫脂液的溫度為75℃。

所述浸蝕工序中采用的化學浸蝕液包括質量分數為98%的硫酸、若丁和氯化鈉。所述化學浸蝕液的組分為：硫酸150g/L、若丁0.9g/L、氯化鈉100g/L。所述浸蝕工序中所述化學浸蝕液的溫度為45℃。

實施例三：

提供一種電鍍過程中對待鍍件預處理工藝，包括步驟為：對待鍍件進行脫脂和浸蝕工序。所述脫脂工序中采用的化學脫脂液包括氫氧化鈉、十二水合磷酸三鈉、碳酸鈉和偏硅酸鈉。所述化學脫脂液的組成為：氫氧化鈉55g/L、十二水合磷酸三鈉13g/L、碳酸鈉36g/L、偏硅酸鈉3g/L。所述脫脂工序中所述化學脫脂液的溫度為78℃。

所述浸蝕工序中采用的化學浸蝕液包括質量分數為98%的硫酸、若丁和氯化鈉。所述化學浸蝕液的組分為：硫酸200g/L、若丁0.6g/L、氯化鈉50g/L。所述浸蝕工序中所述化學浸蝕液的溫度為55℃。

本發明的有益效果是：

一、該工藝能夠去除鍍件表面的油脂和鈍化膜，使鍍件表面與鍍液具有良好的浸濕性；

二、確保鍍件在電鍍前的表面具有非常好的狀態和凈潔程度高；

三、得到的鍍件使用時間長，無鍍層剝落的現象發生。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。