[發明專利]一種C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法

在審

• 申請號: 201610028463.8
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105648418A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 強新發;王章忠;巴志新;章曉波;張保森
• 申請（專利權）人: 南京工程學院
• 主分類號: C23C16/32
• 分類號: C23C16/32;C23C16/44;B82Y40/00
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將C/C復合材料打磨拋光后用蒸餾水洗滌干凈，再置于烘箱中烘干后取出備用；

步驟二、用一束碳纖維將處理過的C/C復合材料捆綁后，懸掛于立式氣相沉積爐中；

步驟三、將立式氣相沉積爐抽真空至2kPa，保持真空30分鐘，確定爐體不漏氣后再打開真空泵持續抽真空，保持爐內壓力為2kPa；

步驟四、通電升溫，升溫過程中通入氬氣保護，當爐溫升到預定的沉積溫度后，在裝有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入載氣氫氣，再將甲基三氯硅烷帶入爐內，同時通入稀釋氬氣、稀釋氫氣；并調節稀釋氬氣、稀釋氫氣和載氣氫氣的流量值，在預定的沉積溫度下沉積60分鐘～180分鐘后，關閉稀釋氫氣、載氣氫氣和甲基三氯硅烷；同時斷電降溫，使爐內自然冷卻至室溫，降溫過程中依然保持爐內壓力2kPa，且在降溫過程中持續通入氬氣保護。

2.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述C/C復合材料是密度為1.68～1.75g/cm³，尺寸為20×10×5mm³的C/C復合材料。

3.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述步驟一中，將C/C復合材料打磨拋光依次采用800號、1000號砂紙進行。

4.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述步驟三中，保持真空時當真空表無變化，則說明爐體不漏氣，密封完好。

5.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述步驟四中，所述沉積溫度為1050℃～1300℃。

6.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述步驟四中，稀釋氬氣、稀釋氫氣和載氣氫氣的流量分別為200～800sccm、500～1000sccm和50～100sccm。

7.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述步驟四中，升溫的過程中通入的氬氣流量為100～200sccm，降溫的過程中通入的氬氣流量為100sccm。

8.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述氫氣和氬氣純度都大于99.99%。

9.根據權利要求1所述的C/C復合材料表面SiC納米線和納米帶的制備方法，其特征在于：所述甲基三氯硅烷的純度大于98%，并通過氫氣鼓泡的方式將其帶入立式氣相沉積爐內。