[發明專利]制備分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極及其應用于電化學識別半胱氨酸對映體

有效

• 申請號: 201610028092.3
• 申請日: 2016-01-16
• 公開（公告）號: CN105510421B
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 孔泳;顧嘉衛
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: G01N27/327
• 分類號: G01N27/327
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種利用分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極電化學識別半胱氨酸對映體的方法，其特征在于：步驟如下：

a、制備納米金修飾電極：配制包括0.05～0.2mM氯金酸、0.05～0.2M氯化鉀的電解質溶液，采用恒電位還原氯金酸的方法，從而得到納米金修飾電極；

b、制備分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極：將步驟a制得的納米金修飾電極放入預先配制好的包括1～3mM L-半胱氨酸、0.05～0.2M吡咯、0.05～0.2M氯化鉀的混合溶液中5～20min，然后在–0.6～0.8V的電位區間內采用循環伏安法聚合單體吡咯，聚合結束之后，在磷酸鹽緩沖溶液中，采用循環伏安一步法進行脫摻雜，得到分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極；

c、電化學識別半胱氨酸對映體：將步驟b中制得的分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極置于含有0.5～2mM L-/D-半胱氨酸的磷酸鹽緩沖溶液中富集一段時間之后，取出該電極插入到磷酸鹽緩沖溶液中，采用循環伏安法對結合了L-/D-半胱氨酸的修飾電極進行電化學檢測。

2.根據權利要求1所述一種利用分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極電化學識別半胱氨酸對映體的方法，其特征是：所述步驟a中氯金酸濃度為0.12mM，氯化鉀濃度為0.1M，恒電位為–0.2V，恒電位還原氯金酸的時間為400s。

3.根據權利要求1所述一種利用分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極電化學識別半胱氨酸對映體的方法，其特征是：所述步驟b中L-半胱氨酸濃度為2mM，吡咯的濃度為0.1M，氯化鉀濃度為0.1M，放置時間為10min，循環伏安脫摻雜的磷酸鹽緩沖溶液pH＝7.0，濃度為0.1M，電位區間為0～1.6V，掃速為0.1Vs^-1。

4.根據權利要求1所述一種利用分子印跡過氧化聚吡咯/納米金修飾電極電化學識別半胱氨酸對映體的方法，其特征是：所述步驟c中L-/D-半胱氨酸濃度為1mM，磷酸鹽緩沖溶液pH＝4.5，濃度為0.1M。