[發明專利]高密度集成電路封裝結構以及集成電路

有效

• 申請號: 201610027678.8
• 申請日: 2016-01-15
• 公開（公告）號: CN105514057B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 梁大鐘
• 申請（專利權）人: 氣派科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市合道英聯專利事務所(普通合伙)44309
• 代理人: 廉紅果,吳雅麗

1.高密度集成電路封裝結構，包括：金屬引線框，所述金屬引線框包括引線框基島、內引腳線和外引腳線；固定在引線框基島上的芯片；以及芯片和內引腳線之間的微米級連接線；和密封所述金屬引線框、芯片以及微米級連接線的長方體塑封結構，其特征在于：所述塑封結構的長度A1滿足關系：1.20mm+(B-8)×0.3mm/2≤A1≤4.50mm+(B-8)×1.00mm/2；塑封結構的寬度A2滿足關系：1.20mm≤A2≤3.50mm；塑封結構的厚度A3滿足關系：0.35mm≤A3≤0.85mm；B為外引腳線的個數，且為滿足4≤B≤68的整數；所述微米級連接線為直徑為10～25微米的合金線，所述微米級連接線與芯片之間通過軟釬焊電性連接；所述微米級連接線與內引腳線之間通過軟釬焊電性連接；軟釬焊材料使用無鉛釬料，并且所述無鉛釬料含有3.2～3.6wt％的In、1.3～1.5wt％的Ag、0.5～0.6wt％的Bi、0.25～0.30wt％的Cu、0.10～0.15wt％的Ge，和余量的Sn；所述塑封結構采用環氧樹脂組合物封裝而成，所述環氧樹脂組合物由雙酚F型環氧樹脂、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙醇二縮水甘油醚、聚丙二醇聚四氫呋喃端羥基聚酯、聚丁烯基琥珀酰亞胺、白炭黑、硅烷偶聯劑和脫模劑組成，所述塑封結構的底部開設有應力釋放槽，所述應力釋放槽為螺旋形槽體，在所述螺旋形槽體內填充有聚丁烯基琥珀酰亞胺和氨基聚酰胺樹脂的組合物，并在40-50℃固化處理3.0-5.0min，其中：聚丁烯基琥珀酰亞胺和氨基聚酰胺樹脂的質量比為3:1。

2.根據權利要求1所述的高密度集成電路封裝結構，其特征在于：所述外引腳線的跨度B1滿足2.30mm≤B1≤5.20mm；外引腳線的間距B2滿足0.30mm≤B2≤1.00mm。

3.根據權利要求1所述的高密度集成電路封裝結構，其特征在于：所述塑封結構的長度A1滿足以下關系：A1＝2.50+(B-8)×0.53/2mm；塑封結構的寬度A2為2.60mm；塑封結構的厚度A3為0.85mm；外引腳線的跨度B1為4.00mm；外引腳線的寬度為0.20mm～0.23mm、引腳線中心間距B2為0.53mm。

4.根據權利要求1所述的高密度集成電路封裝結構，其特征在于：該應力釋放槽的深度和寬度均為0.05mm。

5.根據權利要求1所述的高密度集成電路封裝結構，其特征在于：所述引線框基島到內引腳頂端的距離為0.150mm；基島下沉距離為0.152mm；內引腳線長度為0.400mm。

6.根據權利要求1-5任一項所述的高密度集成電路封裝結構的封裝方法，其特征在于：包括以下步驟：提供一金屬引線框，所述金屬引線框包括引線框基島、內引腳線和外引腳線；提供一芯片，并將所述芯片粘結于所述引線框基島上；所述芯片和內引腳線之間通過微米級連接線電性連接；通過注塑方法形成用于密封所述金屬引線框和所述芯片的長方體塑封結構。