[發(fā)明專利]一種超薄高純陶瓷片及其制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610025729.3 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105693221B | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張丹;王雙喜;王文君;李少杰;黃永俊 | 申請（專利權(quán)）人： | 汕頭大學(xué) |
| 主分類號： | C04B35/10 | 分類號： | C04B35/10;C04B35/581;C04B35/622 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 溫旭;張澤思 |
| 地址： | 515063 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 超薄 高純 陶瓷 及其 制備 工藝 | ||
1.一種超薄高純陶瓷片，其特征在于，主要用于集成電路封裝、LED基板，陶瓷片的陶瓷粉體為微米粉體和納米粉體的混合體，所述納米粉體占所述陶瓷粉體體積的10～30％；所述微米粉體的中位徑不大于3.0μm；所述納米粉體的中位徑不大于0.2μm；所述微米粉體顆粒間相互接觸，所述納米粉體填充在所述微米粉體間的空隙，所述超薄高純陶瓷片厚度為50～200μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄高純陶瓷片，其特征在于，所述陶瓷粉體為氧化鋁和氮化鋁中的一種或者兩種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄高純陶瓷片，其特征在于，所述陶瓷粉體為鈦酸鋰和氧化鋁中的一種或者兩種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述超薄高純陶瓷片的制備工藝，其特征在于，采用流延成型生帶和固相燒結(jié)，所述流延成型生帶以所述陶瓷粉體為漿料的固相，所述陶瓷粉體質(zhì)量占所述漿料總質(zhì)量的65％以上；所述固相燒結(jié)的燒結(jié)溫度比所述微米粉體的理論燒結(jié)溫度低100℃以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備工藝，其特征在于，所述固相燒結(jié)的燒結(jié)溫度為1450～1750℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述制備工藝，其特征在于，主要包括以下步驟：
(1)稱取陶瓷粉體：按照微米粉體和納米粉體的體積比稱取陶瓷粉體；
(2)制漿：將步驟(1)稱取的陶瓷粉體中依次加入溶劑、分散劑后，球磨12～24h；然后加入增塑劑、粘結(jié)劑、成膜劑，球磨6～12h；再加入消泡劑在真空攪拌罐中進(jìn)行除泡20～50min；
(3)流延：將步驟(2)制得的漿料經(jīng)流延頭流出，再通過烘干通道干燥形成固體陶瓷生帶，將生帶裁剪制成陶瓷坯片；
(4)燒結(jié)：將步驟(3)制得的陶瓷坯片送入燒結(jié)爐內(nèi)，以2～3℃/min的速率升溫至450～600℃進(jìn)行排膠加熱，保溫1～2h，然后以5～10℃/min升溫速率加熱到燒結(jié)溫度后保溫2～4h，隨爐冷后取出。
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