[發(fā)明專利]IGBT器件的終端結構

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610025475.5
• 申請日: 2016-01-15
• 公開（公告）號: CN105679815A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 蔣章;劉須電;繆進征
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/40
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種IGBT器件的終端結構，其特征在于，包含有硅襯底中的多個浮空的場環(huán)， 以及場氧、場板；所述的場環(huán)為離子注入形成，場環(huán)與襯底互為相對的導電類型以形成 PN結；多重的場環(huán)形成多個封閉的環(huán)形或跑道型；所述場氧覆蓋在場環(huán)之間的硅襯底上， 所述的場板覆蓋在場環(huán)及場環(huán)之間的場氧之上，所述的場環(huán)的摻雜濃度為1E15～ 1E17/CM³；場環(huán)之間的間距是調整到使終端中間區(qū)域的場環(huán)的柱面結電場高于終端其他 場環(huán)的柱面結電場。

2.如權利要求1所述的IGBT器件的終端結構，其特征在于，所述的終端結構，或 者沒有場板，僅有多重場環(huán)。

3.如權利要求1所述的IGBT器件的終端結構，其特征在于，所述的多重場環(huán)，最 內側的場環(huán)與襯底形成的PN結為主結，其連接金屬，電勢為地電位。