[發明專利]氮化物底層及其制作方法有效
| 申請號： | 201610024968.7 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105489723B | 公開（公告）日： | 2018-08-14 |
| 發明（設計）人： | 陳圣昌;林文禹;張潔;鄧和清;徐宸科 | 申請（專利權）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/32 |
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| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 底層 及其 制作方法 | ||
1.氮化物底層的制作方法，包括步驟：
1）提供襯底；
2）在所述襯底的表面上濺射AlN層：在濺射過程中加入Al源的同時摻入非Al物質，以形成分解溫度低于AlN的氮化物；
3）對所述AlN層進行退火處理，其退火溫度高于形成的氮化物的分解溫度使得該氮化物分解，形成粗糙的表面；
4）采用MOCVD 法在所述AlN 層表面沉積AlxGa1-xN層，其中0 ≤x≤1。
2.根據權利要求1所述的氮化物底層的制作方法，其特征在于：所述非Al物質在退火過程中脫附，形成粗糙的表面。
3.根據權利要求1所述的氮化物底層的制作方法，其特征在于：所述步驟2）中的非Al物質為In、Ga或其組合。
4.根據權利要求1所述的氮化物底層的制作方法，其特征在于：所述摻入的非Al物質的摩爾量不超過Al源的10%。
5.根據權利要求1所述的氮化物底層的制作方法，其特征在于：所述步驟3）的退火溫度為600~2000℃。
6.根據權利要求1所述的氮化物底層的制作方法，其特征在于：所述步驟4）中采用MOCVD生長的AlxGa1-xN層在所述粗糙表面上通過三維到二維之間的模式轉換釋放應力。
7.氮化物底層結構，采用上述權利要求1~6中的任一項氮化物底層的制作方法制得。
8.發光二極管制作方法，包括步驟：
1）提供襯底；
2）在所述襯底的表面上濺射AlN層：在濺射過程中加入Al源的同時摻入非Al物質，從而形成分解溫度低于AlN的氮化物；
3）對所述AlN層進行退火處理，其退火溫度高于形成的氮化物的分解溫度使得該氮化物分解，形成粗糙的表面；
4）采用MOCVD 法在所述AlN 層表面沉積AlxGa1-xN層，其中0 ≤ x<1；
5）在所述AlxGa1-xN層上沉積n型氮化物層、有源層和p型氮化物層。
9.根據權利要求8所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述有源層的發光波長為365nm~210nm。
10.根據權利要求8所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟2）中的非Al物質為In、Ga或其組合。
11.根據權利要求8所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟4）中采用MOCVD生長的AlxGa1-xN層在所述粗糙表面上通過三維到二維之間的模式轉換釋放應力。
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