[發明專利]一種適用于MTM反熔絲PROM的編程器

有效

• 申請號: 201610024321.4
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105679367B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 于躍;孫杰杰;胡小琴;徐睿
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 總裝工程兵科研一所專利服務中心 32002
• 代理人: 楊立秋

1.一種適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：包括MTM反熔絲PROM(1)、邏輯電平轉換(2)、數模轉換器DAC(3)、可編程邏輯門陣列(4)、電源管理單元(5)、串行通訊接口(6)和大容量靜態隨機存儲器SRAM(7)，可編程邏輯門陣列(4)通過控制數模轉換器DAC(3)產生0V～15V之間可變的編程電壓和編程時序；可編程邏輯門陣列(4)通過電源管理單元(5)控制待編程PROM電路的電源電壓，通過拉偏MTM反熔絲PROM(1)的電源電壓的方式讀取校驗數據；可編程邏輯門陣列(4)對要燒寫的反熔絲位數進行分步編程；串行通訊接口(6)在PROM電路編程時，實時反饋編程信息；串行通訊接口(6)采用了下載數據保存在大容量靜態隨機存儲器SRAM(7)中并校驗的方式保證下載編程文件無誤；可編程邏輯門陣列(4)通過邏輯電平轉換(2)對MTM反熔絲PROM(1)進行測試。

2.根據權利要求1所述的適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：所述數模轉換器DAC(3)的后級設置有高電壓、高驅動電流運放OPA(8)，以提供燒寫反熔絲時必要的電流。

3.根據權利要求1所述的適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：所述MTM反熔絲PROM(1)的電源電壓與其讀出數據的冗寬有關。

4.根據權利要求1所述的適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：所述可編程邏輯門陣列(4)預先對待編程的數據進行處理，計算待編程數據要燒寫的反熔絲個數，再根據待編程數據反熔絲位個數，采用一次編程或兩次編程所有的反熔絲位；其中，反熔絲個數即為反熔絲的數量；反熔絲位是在一個特定的地址上可以讀到反熔絲狀態的一個位。

5.根據權利要求1所述的適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：所述串行通訊接口(6)接收來自上位機PC傳輸的編程文件，并將編程文件保存在板載大容量靜態隨機存儲器SRAM(7)中，傳輸完畢后通過串行通訊接口(6)將大容量靜態隨機存儲器SRAM(7)中保存的編程文件回傳給上位機PC并與待編程文件進行比較。

6.根據權利要求1所述的適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：所述串行通訊接口(6)在PROM電路編程時，實時向上位機PC反饋編程信息，上位機PC將反饋編程信息保存為編程日志文件。

7.根據權利要求1所述的適用于MTM反熔絲PROM的編程器，其特征在于：所述可編程邏輯門陣列(4)通過邏輯電平轉換(2)對MTM反熔絲PROM(1)進行測試，在不影響正常反熔絲陣列條件下，對MTM反熔絲PROM(1)的冗余行、冗余列進行數據讀出和預編程。