[發(fā)明專利]一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬化及釬焊方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610024152.4
• 申請(qǐng)日: 2016-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105499736A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯文明;方萌;楊磊;胡玲;史常東;張玉君;馮東;吳玉程
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥工業(yè)大學(xué);合肥圣達(dá)電子科技實(shí)業(yè)公司
• 主分類號(hào): B23K1/06
• 分類號(hào): B23K1/06;B23K1/20
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬化及釬焊方法，其特征 在于，包括以下步驟：基板砂紙研磨-去離子超聲水清洗-丙酮超聲除油-敏化-去離子水超 聲清洗-活化-化學(xué)鍍-去離子水超聲清洗-釬焊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬 化及釬焊方法，其特征在于：高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板中SiCp的含量為50-80 vol%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬 化及釬焊方法，其特征在于：基板砂紙研磨指的是基板依次分別經(jīng)過(guò)200目、400目、600目和 800目SiC金相砂紙研磨。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬 化及釬焊方法，其特征在于：去離子水超聲清洗1-5次，每次3-15min，以除去基板表面粘附 的雜質(zhì)顆粒或溶液離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬 化及釬焊方法，其特征在于：丙酮超聲除油時(shí)間為5-10min，敏化采用的是SnCl₂+鹽酸敏化 水溶液，濃度為8-15g/LSnCl₂+10-40mL/L濃鹽酸，敏化時(shí)間為0.3-3.0min；活化采 用PdCl₂+鹽酸水溶液，濃度為0.1-0.5g/LPdCl₂+5-10mL/L濃鹽酸，活化時(shí)間為3-15 min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬 化及釬焊方法，其特征在于：化學(xué)鍍方法為：敏化、活化處理后的SiCp/Al復(fù)合材料基板置于 化學(xué)鍍液中鍍覆Ni-P合金層，化學(xué)鍍液溫度為85-95℃，pH值為3.0-6.0，化學(xué)鍍時(shí)間為30- 120min；所得Ni-P合金鍍層中P含量為8-15wt%；化學(xué)鍍液各組分濃度：

NiSO₄·6H₂O20-25g/L

NaH₂PO₂·H₂O18-25g/L

Na₂C₄H₄O₄·6H₂O8-20g/L

穩(wěn)定劑3-10mL/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板表面金屬 化及釬焊方法，其特征在于：表面金屬化高體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料基板與金屬環(huán)框釬焊 采用Au-Sn共晶釬料片，釬焊氣氛為氫氣、氮?dú)饣驓鍤庵械囊环N或幾種，釬焊溫度為300-380 ℃，釬焊時(shí)間3-15min。