[發(fā)明專利]半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610024141.6
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105551942B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設計）人: 王超
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 胡川

本發(fā)明提供了一種半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液對刻蝕后的半導體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液；采用NMP溶劑對半導體晶圓進行第二次清洗；采用IPA溶劑對半導體晶圓進行第三次清洗；采用純水對半導體晶圓進行第四次清洗；對半導體晶圓進行干燥。通過上述方式，本發(fā)明能夠完全清洗深孔中的聚合物。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造工藝技術領域，特別是涉及一種半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法。

背景技術

在半導體器件的生產過程中，需要清洗刻蝕出的深孔，而深孔清洗直接關系著半導體器件的最終功能的實現。深孔通常經過干法蝕刻制程形成，刻蝕深度可以達到100um。然而，在干法蝕刻過程中會產生聚合物，如果無法在清洗過程中將聚合物完全清洗干凈，就會直接影響后續(xù)鍍金制程中形成的金屬層的導通能力，繼而導致器件的接地性能受到影響，會嚴重影響成品的性能、成品率及可靠性。

但是，由于深孔的深度較大，現有的深孔清洗技術難以完全清洗干凈深孔中的聚合物。

發(fā)明內容

本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，能夠完全清洗深孔中的聚合物。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是：提供一種半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，包括：采用EKC溶液對刻蝕后的半導體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液；采用NMP溶劑對所述半導體晶圓進行第二次清洗；采用IPA溶劑對所述半導體晶圓進行第三次清洗；采用純水對所述半導體晶圓進行第四次清洗；對所述半導體晶圓進行干燥。

優(yōu)選地，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式為浸泡或噴射。

優(yōu)選地，所述第一次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。

優(yōu)選地，所述第二次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。

優(yōu)選地，所述第二次浸泡的浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。

優(yōu)選地，所述第三次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。

優(yōu)選地，所述第四次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。

優(yōu)選地，所述干燥的方式為旋轉甩干或氮氣吹干。

優(yōu)選地，所述干燥的持續(xù)時間為5分鐘。

優(yōu)選地，所述NMP溶劑的濃度為95％以上，所述IPA溶劑的濃度為95％以上。

區(qū)別于現有技術的情況，本發(fā)明的有益效果是：通過在進行NMP溶劑浸泡之前，進行EKC溶液浸泡，從而能夠完全清洗深孔中的聚合物，保證半導體器件的成品性能、成品率及可靠性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

參見圖1，是本發(fā)明實施例半導體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法的流程示意圖。本發(fā)明實施例的深孔清洗方法包括以下步驟：

S1：采用EKC溶液對刻蝕后的半導體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液。