[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201610023885.6
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN106971949B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 殷原梓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/482
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導體晶圓，在所述半導體晶圓上形成用于與封裝基板連接的凸塊，并且在所述凸塊中的孤立凸塊的周圍形成包圍所述孤立凸塊的偽凸塊陣列，相鄰的所述偽凸塊陣列共用該相鄰側的偽凸塊。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述偽凸塊陣列的形狀為四邊形、矩形、正方形或菱形。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：

在所述半導體晶圓上形成再布線層和偽再布線層，

其中，所述凸塊形成于所述再布線層上，所述偽凸塊形成于所述偽再布線層上。

4.如權利要求1-3之一所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：

提供封裝基板，在所述封裝基板上形成有與所述凸塊對應的焊點；

通過所述凸塊和焊點完成所述半導體晶圓和封裝基板的連接。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括下述步驟：

在所述封裝基板上形成與所述偽凸塊對應的偽焊點，

在連接所述凸塊和焊點的同時，連接所述偽凸塊和偽焊點。

6.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括半導體晶圓，在所述半導體晶圓上形成有用于與封裝基板連接的凸塊，并且在所述凸塊中的孤立凸塊的周圍形成有包圍所述孤立凸塊的偽凸塊陣列，相鄰的所述偽凸塊陣列共用該相鄰側的偽凸塊。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述偽凸塊陣列的形狀為四邊形、矩形、正方形或菱形。

8.如權利要求6或7所述的半導體器件，其特征在于，在所述半導體晶圓上還形成有與所述凸塊對應的再布線層，以及與所述偽凸塊對應的偽再布線層，

并且，所述凸塊形成于所述再布線層上，所述偽凸塊形成于所述偽再布線層上。

9.如權利要求6或7所述的半導體器件，其特征在于，還包括：封裝基板，在所述封裝基板上形成有與所述凸塊對應的焊點，所述凸塊和焊點連接在一起以實現所述半導體晶圓和所述封裝基板的連接。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，在所述封裝基板上還形成有與所述偽凸塊對應的偽焊點，所述偽凸塊和偽焊點連接在一起以實現所述半導體晶圓和所述封裝基板的連接。

11.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求6-10之一所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。