[發(fā)明專利]一種基于共面波導(dǎo)結(jié)合晶體管的太赫茲波調(diào)制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610023356.6
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN105652475B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雅鑫;孫翰;趙運(yùn)成;梁士雄;楊梓強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/01
• 分類號(hào): G02F1/01
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 張楊

1.一種基于共面波導(dǎo)結(jié)合晶體管的太赫茲波調(diào)制器，包括：輸入波導(dǎo)、共面波導(dǎo)、輸出波導(dǎo)；所述共面波導(dǎo)包括基板及位于基板上的饋線，饋線包括輸入段、傳播段、輸出段；所述傳播段包括：中央饋線、位于中央饋線兩側(cè)的諧振饋線；將饋線的輸入段設(shè)置于輸入波導(dǎo)中，輸出段設(shè)置于輸出波導(dǎo)中；共面波導(dǎo)的中央饋線外接一電壓輸入線，諧振饋線與中央饋線之間設(shè)置至少1個(gè)晶體管調(diào)制單元，通過外接電壓控制晶體管調(diào)制單元的通斷，其特征在于所述晶體管調(diào)制單元包括：帶開口的諧振環(huán)、摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)、柵極饋線，短饋線；其中帶開口的諧振環(huán)通過短饋線與諧振饋線相連；摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)置于諧振環(huán)的開口處，連接開口兩端；柵極饋線一端設(shè)置于摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)上且不與諧振環(huán)挨接，另一端連接中央饋線。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于共面波導(dǎo)結(jié)合晶體管的太赫茲波調(diào)制器，其特征在于所述共面波導(dǎo)的中央饋線的兩側(cè)各設(shè)置3個(gè)晶體管調(diào)制單元。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于共面波導(dǎo)結(jié)合晶體管的太赫茲波調(diào)制器，其特征在于所述共面波導(dǎo)基板材料為AsGa、AlGaN、SiC或GaN。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于共面波導(dǎo)結(jié)合晶體管的太赫茲波調(diào)制器，其特征在于所述摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料為AlGaN/GaN、InGaN/GaN、AlGaAs/GaAs、AlGaAs/InGaAs或AlGaAs/InGaAs/InP。