[發明專利]一種有序介孔碳化硅的制備方法有效
| 申請號: | 201610022824.8 | 申請日: | 2016-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN105502403B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 任軍;靳永勇;孫偉;史瑞娜;王娟;王婧;郝盼盼 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | C01B32/977 | 分類號: | C01B32/977 |
| 代理公司: | 太原科衛專利事務所(普通合伙)14100 | 代理人: | 張彩琴 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有序 碳化硅 制備 方法 | ||
1.一種有序介孔碳化硅的制備方法,其特征在于,
其步驟為:
㈠制備有序介孔SiO2/C復合材料
以三嵌段共聚體結構導向劑F127做模板劑,以正硅酸乙酯做硅源,以酚醛樹脂低聚物做碳源;
所述制備有序介孔SiO2/C復合材料的步驟為:
①將F127溶于無水乙醇中,加入鹽酸溶液,40℃恒溫攪拌1h;后依次加入正硅酸乙酯以及酚醛樹脂低聚物的乙醇溶液,40℃恒溫攪拌2h,獲得混合溶液;
②混合溶液置于容器內,室溫下放置5~8h,然后置于100℃恒溫烘箱內24h,容器內形成黃色膜,刮取磨成細粉;
③將該細粉置于管式爐內,以1℃/min升溫至350℃且保溫3h,再以1℃/min升溫至600℃,隨后以5℃/min升溫至900℃且保溫2h,得到黑色的有序介孔SiO2/C復合材料;
㈡微波還原制備有序介孔碳化硅
有序介孔SiO2/C復合材料置于微波爐中間區域,調整位置,直至紅外測溫探頭測得復合材料的最大溫度點;抽真空至真空度為0.09MPa,通入氮氣至真空度為0.03MPa,抽真空、通氮氣步驟反復進行兩次,后再次抽真空至真空度為0.09MPa,通入氮氣至真空度為0.07MPa;開啟微波爐冷卻水循環裝置,打開微波控制開關,調節微波功率使得爐內升溫至1300℃±10℃,恒溫反應20min;關閉微波控制開關,停止加熱,抽真空至真空度為0.09MPa,爐內自然冷卻至室溫后,關閉循環水;打開放空閥,待微波爐內壓力達到大氣壓強時,爐門自動打開,取出,獲得粉末狀的有序介孔碳化硅。
2.根據權利要求1所述的一種有序介孔碳化硅的制備方法,其特征在于:運用小角度X-射線粉末衍射在0.8o處出峰,說明合成產物是規整有序的介孔材料。
3.根據權利要求1所述的一種有序介孔碳化硅的制備方法,其特征在于:運用比表面及孔徑分析儀得到的吸-脫附等溫線,吸-脫附等溫線符合H1型回滯環,H1型回滯環反映的是孔徑分布均勻的圓筒狀孔,由孔徑分布曲線看出孔徑集中在6.3nm,吸-脫附等溫線和孔徑分布曲線共同說明合成的碳化硅是有序介孔結構。
4.根據權利要求1所述的一種有序介孔碳化硅的制備方法,其特征在于,步驟㈡獲得的有序介孔碳化硅粉末隨后進行了除雜處理,該除雜處理包括高溫除碳處理以及酸洗除硅處理。
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