[發(fā)明專利]一種基于快速響應(yīng)濕度變化的真空包裝設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610022664.7 | 申請日: | 2016-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN105675668A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖白玉 | 申請(專利權(quán))人: | 肖白玉 |
| 主分類號: | G01N27/22 | 分類號: | G01N27/22;G01N33/00 |
| 代理公司: | 北京高航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11530 | 代理人: | 趙永強(qiáng) |
| 地址: | 315200 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 快速 響應(yīng) 濕度 變化 真空包裝 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于包裝領(lǐng)域,更具體涉及一種基于快速響應(yīng)濕度變化的真空包裝設(shè)備。
背景技術(shù)
真空包裝設(shè)備能夠自動抽出包裝袋內(nèi)的空氣,亦可再充入氮?dú)饣蚱渌Wo(hù)氣,然后完成 封口工序。真空包裝設(shè)備常被用于食品行業(yè)等。
然而,現(xiàn)有真空包裝設(shè)備一般不具有對抽氣濕度的檢測。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的問題,提供一種基于快速響應(yīng)濕度變化的真空包裝設(shè)備。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種基于快速響應(yīng)濕度變化的真空包裝設(shè)備,其特征在于,所述真空包裝設(shè)備的柜體底 部安裝有濕敏傳感器模塊,該濕敏傳感器模塊基于碳納米管材料,能夠檢測真空包裝設(shè)備工 作過程中抽出氣體的濕度情況,根據(jù)參數(shù)對比,可以更好的促進(jìn)工作效率等。
該濕敏傳感器模塊包括從下到上依次布設(shè)的重?fù)诫s硅片、緊貼重?fù)诫s硅片的SiO2層、碳 納米管層、位于SiO2層間的下電極和位于碳納米管層上的上電極,所述碳納米管層生長于SiO2層上;所述下電極上有金屬薄膜,所述金屬薄膜從內(nèi)到外依次為具有黏附性的Cr層、導(dǎo)電導(dǎo) 熱的Cu層和作為電極層的Au層,所述Cr層、Cu層和Au層的厚度依次為30nm、300nm 和300nm;所述碳納米管層采用催化劑和/或光刻法實(shí)現(xiàn)其定域生長,生長后的所述碳納米管 層采用等離子體使其產(chǎn)生羥基修飾,碳納米管層在等離子體羥基修飾之前經(jīng)過了加入微量鎢 粉的醋酸和雙氧水混合溶液的處理;所述金屬薄膜的表面緊貼有感測細(xì)菌生長的細(xì)菌酶膜層, 該細(xì)菌酶膜層與金屬薄膜一起形成感測水分的細(xì)菌濕敏感測器;所述下電極和上電極上連接 有一個用于和客戶端通信連接的微控處理器。
優(yōu)選地,所述濕敏傳感器的制作包括以下步驟:
S1:SiO2層制作:取所述重?fù)诫s硅片,將其放入管式爐中,按照10℃/min的速率升溫 到500℃,保溫12h,然后自然冷卻至室溫,即可在重?fù)诫s硅片表面形成SiO2層;
S2:下電極制作:將步驟S1中制得的有SiO2層的重?fù)诫s硅片依次使用丙酮、乙醇、去 離子水清洗15min后烘干,在其表面旋涂光刻膠,使用下電極掩模版對其曝光,120℃烘干 2min后顯影、烘干,在CHF3氣氛下干法刻蝕SiO2層,刻蝕30min,將刻蝕SiO2層清洗后 的重?fù)诫s硅片放入磁控濺射儀中,在低于1.5×10-3pa真空下依次磁控濺射Cr層、Cu層和Au 層;將磁控濺射好Cr層、Cu層和Au層的下電極(1)表面固定上細(xì)菌酶膜,然后清洗光刻 膠;所述重?fù)诫s硅片的尺寸大小為2cm×2cm;
S3:氣噴催化劑薄膜,步驟如下:
a.使用Fe/Ni納米粒子作為碳納米管生長的催化劑,首先,對帶有下電極的重?fù)诫s硅片旋 涂光刻膠,采用催化劑的定域掩模版對其進(jìn)行曝光,然后經(jīng)過顯影,清洗備用;
b.配制催化劑Fe/Ni的分散液:分別稱取200mg、50mg的Fe納米粒子和Ni納米粒子, 將其加入60ml的98%H2SO4和40ml的69%的HNO3混合溶液中,在80℃水浴中超聲3 h,然后用去離子水清洗后過濾,得到干燥的Fe/Ni混合納米粒子,然后稱取100mg的Fe/Ni 納米粒子,加入500ml的去離子水中,充分?jǐn)嚢韬蟮玫紽e/Ni混合納米粒子的分散液;
c.使用高純氮?dú)庾鳛闅鈬娸d體,調(diào)節(jié)噴筆與重?fù)诫s硅片之間的水平和垂直距離,使分散 液的溶劑到達(dá)基片上時剛好揮發(fā)為準(zhǔn),氣噴5次,每次氣噴20s,使形成一層均勻的厚度約 為20nm的催化劑Fe/Ni的混合納米粒子薄膜;
S4:CVD法生長碳納米管:
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