[發明專利]半導體器件的制造方法及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201610022377.6
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105789028B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 橋本良知;廣瀨義朗;松岡樹;原田勝吉
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

對在表面形成有含氧膜的襯底供給第一原料和第一氮化劑、在所述含氧膜上形成初始膜的工序，其中，所述初始膜為包含氧的氮化膜；

對所述初始膜進行等離子體氮化，由此將所述初始膜改質為第一氮化膜的工序，所述第一氮化膜為不含氧的膜；和

對所述襯底供給第二原料和第二氮化劑，在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第二氮化膜形成為厚度為所述第一氮化膜的厚度以上。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第二氮化膜形成為比所述第一氮化膜厚。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述初始膜的工序中，將非同時地進行對所述襯底供給所述第一原料的工序和對所述襯底供給所述第一氮化劑的工序作為第1循環，進行第1規定次數的所述第1循環。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述第二氮化膜的工序中，將非同時地進行對所述襯底供給所述第二原料的工序和對所述襯底供給所述第二氮化劑的工序作為第2循環，進行第2規定次數的所述第2循環。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中，使所述第2規定次數比所述第1規定次數多。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，使所述初始膜的厚度為0.8nm以上且1.5nm以下。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，使所述初始膜的厚度為1.0nm以上且1.2nm以下。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，還具有對所述第二氮化膜的表面進行等離子體氮化的工序。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，還具有在形成所述初始膜之前、對所述含氧膜的表面進行等離子體氮化的工序。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在進行所述等離子體氮化時，對所述襯底供給等離子體激發后的所述第一氮化劑或所述第二氮化劑。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一原料和所述第二原料具有相同的分子結構。

13.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一氮化劑和所述第二氮化劑具有相同的分子結構。

14.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在同一處理室內進行將所述初始膜改質為第一氮化膜的工序、和在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。

15.如權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其中，在同一處理室內進行對所述含氧膜的表面進行等離子體氮化的工序、和形成所述初始膜的工序。

16.一種襯底處理裝置，其具有：

處理室，收納襯底；

原料供給系統，對所述處理室內的襯底供給第一原料、第二原料；

氮化劑供給系統，對所述處理室內的襯底供給第一氮化劑、第二氮化劑；

等離子體激發部，使所述第一氮化劑或所述第二氮化劑進行等離子體激發；和

控制部，其被構成為以進行下述處理的方式控制所述原料供給系統、所述氮化劑供給系統及所述等離子體激發部，所述處理為：

以在所述處理室內收納在表面形成有含氧膜的襯底的狀態，對所述襯底供給所述第一原料和所述第一氮化劑，在所述含氧膜上形成初始膜的處理，其中，所述初始膜為包含氧的氮化膜；

對所述襯底供給等離子體激發后的所述第一氮化劑或所述第二氮化劑，對所述初始膜進行等離子體氮化，由此將所述初始膜改質為第一氮化膜的處理，所述第一氮化膜為不含氧的膜；和

對所述襯底供給所述第二原料和所述第二氮化劑，在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的處理。