[發明專利]薄膜晶體管結構的制造方法

在審

• 申請號: 201610022135.7
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105655257A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 史文;李文輝
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/027
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶體管結構的制 造方法包含步驟：

提供一基板；

形成一柵極圖案層于所述基板上；

覆蓋一柵極絕緣層于所述柵極圖案層及所述基板上；

形成一有源圖案層于所述柵極絕緣層上，其中所述有源圖案層的位置對應 于所述柵極圖案層的位置；

形成一光阻圖案層于所述有源圖案層上及一部分的所述柵極絕緣層上以 暴露出所述柵極絕緣層的一源極預定位置及一漏極預定位置，其中所述光 阻圖案層包含多個倒梯形塊；

以所述光阻圖案層作為一掩膜，沉積一金屬層于所述光阻圖案層、所述源 極預定位置及所述漏極預定位置上；及

移除所述光阻圖案層以同時移除位于所述光阻圖案層上的金屬層，以使所 述金屬層圖案化成一源極及一漏極。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：在所述移 除所述光阻圖案層的步驟之后，更包含：覆蓋一鈍化層于所述源極、所述 漏極、所述有源圖案層及所述柵極圖案層上。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：在所述沉 積所述金屬層的步驟中，以所述光阻圖案層為一光掩膜，以濺鍍方式形成 所述金屬層于所述光阻圖案層、所述源極預定位置及所述漏極預定位置 上。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述柵極 圖案層的材質包含鋁、鉬或銅。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述柵極 圖案層是通過一光刻掩膜法形成。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述有源 圖案層是通過一光刻掩膜法形成。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：在所述覆 蓋所述柵極絕緣層于所述柵極圖案層及所述基板上的步驟中，以一物理氣 相沉積法形成所述柵極絕緣層。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述多個 倒梯形塊的每一個包含一下底面及一上底面，其中所述下底面接觸所述有 源圖案層或所述柵極絕緣層，及所述下底面的面積小于所述上底面的面 積。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述多個 倒梯形塊的每一個包含一左側面及一右側面，分別從所述下底面的兩側延 伸朝向并連接所述上底面的兩側，其中所述左側面與所述上底面之間的一 第一夾角大于0度且小于90度；及所述右側面與所述上底面之間的一第 二夾角大于0度且小于90度。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構的制造方法，其特征在于：所述第一 夾角大于等于30度且小于90度；及所述第二夾角大于等于30度且小于 90度。