[發明專利]一種中大口徑非球面光學元件高效高精度先進制造技術工藝流程

有效

• 申請號: 201610021736.6
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN105643394B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 王大森;吳慶堂;聶鳳明;郭波;吳煥;李珊;修冬;康戰;段學俊;王凱;盧政宇;陳洪海;魏巍;王文淵;孫洪宇;王澤震;胡寶共
• 申請（專利權）人: 長春設備工藝研究所
• 主分類號: B24B13/00
• 分類號: B24B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種中大口徑非球面光學元件高效高精度先進制造技術工藝流程，其特征在于：采用如下工藝流程： A、粗磨、B、精密磨削、C、等離子體快速拋光、D、小工具數控拋光、E、磁流變拋光；

A、粗磨，可去除大部分加工余量，提高加工效率，分為：粗磨修外形、粗磨形成非球面面形；

B、精密磨削加工，分為：半精密磨削加工和精密磨削加工，采用包絡磨削技術對粗磨后的光學元件進行精密磨削加工，磨削后滿足基本的非球面形狀精度，磨削加工后的面形精度≤4微米；A、粗磨以及B、精密磨削加工加工周期一共為5天；

C、等離子體快速拋光，采用大氣射流等離子體方法進行快速拋亮，去除磨削表面的缺陷，在保持元件面形精度的前提下，提高表面質量，形成光學表面，滿足光學元件光學干涉檢測的要求；等離子體快速拋光后的表面粗糙度Rq≤50納米，加工周期為6天；

D、小工具數控拋光，采用拋光模柔性控制技術，修整元件面形，提高元件面形精度，去除大部分拋光余量，拋光完后的面形精度≤λ/2，其中λ=0.6328微米，表面粗糙度Rq≤1.2納米，加工周期為10天；

E、磁流變拋光，采用磁流變拋光工藝技術精密拋光元件面形，提高面形精度、降低表面粗糙度，達到元件的最終精度指標要求，最終面形精度PV值≤λ/10， RMS值≤λ/70，其中λ=0.6328微米，表面粗糙度Rq≤1納米，加工周期為4天。

2.根據權利要求1所述的一種中大口徑非球面光學元件高效高精度先進制造技術工藝流程，其特征在于： 所述工藝流程中A、粗磨及B、精密磨削均需進行面型在位檢測，直至合格轉入流程C、等離子體快速拋光；所述工藝流程中C、等離子體快速拋光需進行面型干涉檢測，直至合格轉入流程D、小工具數控拋光；所述工藝流程中D、小工具數控拋光需進行面型干涉檢測，直至合格轉入流程E、磁流變拋光；所述工藝流程中E、磁流變拋光需進行面型干涉檢測，直至達到符合元件面型精度要求的技術指標。