[發明專利]提高氧化鉿膜層折射率的方法

在審

• 申請號: 201610021398.6
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105506560A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 朱美萍;邢煥彬;柴英杰;孫建;易葵;邵建達
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/54
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純;張寧展

1.一種提高HfO₂膜層折射率的方法，使用電子束蒸發鍍制HfO₂膜層，其特征 在于：該方法是在蒸發第一蒸發源(35)的HfO₂膜料的同時，蒸發第二蒸發源(24) 的SiO₂膜料，HfO₂膜料沉積速率υ_H和SiO₂膜料沉積速率υ_L的比例大于4:1。

2.根據權利要求1所述的提高HfO₂膜層折射率的方法，采用電子束蒸發鍍膜機 進行鍍膜，其特征在于該方法的具體步驟如下：

1)添加膜料：在第一蒸發源(35)添加HfO₂膜料，第二蒸發源(24)添加SiO₂膜料；

2)向計算機(30)輸入鍍膜參數：HfO₂膜料的沉積速率υ_H、SiO₂膜料的沉積 速率υ_L、監控波長λ和所需鍍制的膜系，且HfO₂膜料沉積速率υ_H和SiO₂膜料沉積 速率υ_L的比例大于4:1；

3)開機鍍膜：

①計算機(30)通過25針并口(31)向擋板開關控制電路(20)發出信號，經左槍 擋板控制器(25)、右槍擋板控制器(27)同時打開第一蒸發源擋板(23)和第二蒸發 源擋板(36)，開始同時蒸發HfO₂膜料和SiO₂膜料；

②第一晶振頭(21)和第二晶振頭(38)分別探測HfO₂的實際沉積速率υ_AH和 SiO₂的實際沉積速率υ_AL，晶控儀(26)根據第一晶振頭(21)探測的實際沉積速 率υ_AH，通過第一蒸發源反饋控制模塊(39)調節第一蒸發源(35)的電子槍電流， 使得實際沉積速率υ_AH始終等于設置的沉積速率υ_H；晶控儀(26)根據第二晶振頭 (38)探測的實際沉積速率υ_AL，通過第二蒸發源反饋控制模塊(40)調節第二蒸 發源(24)的電子槍電流，使得實際沉積速率υ_AL始終等于設置的沉積速率υ_L；

③計算機(30)采集并保存鎖相放大器(12)輸出的監控片(14)的透射率信 號值，當監控片(14)上膜層光學厚度達到設定值時，通過25針并口(31)向擋板 開關控制電路(20)發出信號同時關閉第一蒸發源擋板(23)和第二蒸發源擋板(36)， 停止鍍膜。