[發(fā)明專利]光伏層壓件及其制備方法及光伏組件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610021338.4 | 申請日: | 2016-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN105489682A | 公開(公告)日: | 2016-04-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬俊;鄭加鎮(zhèn);金健;劉汪利 | 申請(專利權)人: | 張家港協鑫集成科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 江蘇省蘇州市張家港*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層壓 及其 制備 方法 組件 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及光伏電池技術領域,特別是涉及一種光伏層壓件及其制備方法 及光伏組件。
背景技術
目前,光伏層壓件的生產工藝一般為,先在背板以及上敷EVA的預定位置 上開孔,然后將透明蓋板、下敷EVA、電池片、上敷EVA以及背板層疊,在層 疊過程中同時將電池片連接的匯流帶從上敷EVA以及背板上的開孔中穿出使匯 流帶延伸出背板外,也就是層疊中的穿引出線的動作;之后將層疊好的各部件 進行層壓以形成光伏層壓件。
但是,操作人員在穿引出線動作時,很容易由于操作不小心造成電池片隱 裂;穿引出線不當是造成電池片隱裂的最主要原因之一。另外,層壓過程中上 敷EVA會從背板上的開孔處溢出,導致匯流帶上有EVA殘留,如不清洗將嚴重 影響后續(xù)光伏層壓件與接線盒的焊接質量;另外EVA外溢還會導致背板臟污, 增加了后續(xù)清潔工位的工作量,同時還導致層壓機臟污,也增加了層壓機的清 潔頻率及工作量。
發(fā)明內容
基于此,有必要針對現有的光伏層壓件易電池片隱裂以及清潔工作量大的 問題,提供了一種不易造成電池片隱裂且易清潔的光伏層壓件。
一種光伏層壓件,包括依次層壓的透明蓋板、第一密封層、電池片層、第 二密封層以及背板;
所述電池片層包括若干聯接的電池片以及電連接在所述電池片上的匯流 帶;
所述背板上開設有電極露出孔,所述電極露出孔貫穿所述背板以及第二密 封層并使所述匯流帶漏出。
上述光伏層壓件采用特殊的設計,通過電極露出孔將匯流帶露出,不需要 將匯流帶延伸出背板外,故而省略了穿引出線動作,從而避免了因穿引出線不 當造成電池片隱裂的問題。還需要說明的是,穿引出線動作導致疊層工序的人 工配置占整個產線人員的30%以上,省略穿引出線動作之后,從而可以極大降 低人工工作量。另外,上述設計使層壓之前不需要在背板以及第二密封層板上 開口,故而避免了層壓時第二密封層外溢,從而避免了因第二密封層外溢造成 匯流帶焊接區(qū)域的臟污問題,提高了后續(xù)光伏層壓件與接線盒的電連接質量; 還避免了因第二密封層外溢造成背板臟污,減少了后續(xù)清潔工位的工作量;還 避免了層壓機臟污,減少了層壓機的清潔頻率及工作量。
在其中一個實施例中,所述電極露出孔通過激光開孔形成。
在其中一個實施例中,所述電極露出孔為方孔。
在其中一個實施例中,所述電極露出孔的面積為56~64mm2。
在其中一個實施例中,所述匯流帶的寬度為5~7mm。
在其中一個實施例中,所述第二密封層為乙烯-醋酸乙烯共聚物層。
本發(fā)明還提供了一種上述光伏層壓件的制備方法。
一種光伏層壓件的制備方法,包括如下步驟:
將透明蓋板、第一密封層、電池片層、第二密封層以及背板層壓;
在層壓后的背板上開設電極露出孔,并使電極露出孔貫穿所述背板以及第 二密封層,并漏出匯流帶。
在其中一個實施例中,所述電極露出孔通過激光開孔形成。
本發(fā)明還提供了一種光伏組件。
一種光伏組件,包括光伏層壓件以及與所述光伏層壓件電連接的接線盒; 其中,所述光伏層壓件為本發(fā)明所提供的光伏層壓件。
上述光伏組件,由于采用本發(fā)明所提供的光伏層壓件,避免了電池片隱裂 的問題,極大降低人工工作量。另外,提高了光伏層壓件與接線盒的電連接質 量;減少了后續(xù)清潔工位的工作量,減少了層壓機的清潔頻率及工作量。
在其中一個實施例中,所述接線盒包括:
殼體,包括相對設置的上蓋面和底面;
連接端子,用于電連接光伏層壓件;
引出電極,用于將電流引出所述殼體外;
以及電路主體單元,位于所述殼體內且電連接于所述連接端子和所述引出 電極之間;
所述連接端子包括與光伏層壓件電連接的外連段以及與所述電路主體單元 連接的內連段;
所述底面開設有使所述外連段在所述底面處與光伏層壓件電連接的避讓 孔。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實施例的光伏層壓件的俯視示意圖。
圖2為圖1中A處的局部放大圖。
圖3為圖1中的光伏層壓件的電極露出孔處的局部剖面示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





