[發(fā)明專利]可交聯(lián)量子點及其制備方法、陣列基板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610021323.8 | 申請日: | 2016-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN105552241B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李延釗;陳卓;何月娣;孫杰 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 彭久云,沈斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 交聯(lián) 量子 及其 制備 方法 陣列 | ||
1.一種可交聯(lián)量子點,其中所述可交聯(lián)量子點的表面具有基團對R1和R2,所述基團對R1和R2可發(fā)生反應(yīng)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò),或者所述可交聯(lián)量子點的表面具有可由交聯(lián)劑交聯(lián)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團R3;其中所述R1為選自巰基、烯基、二烯基中的至少一種;與R1對應(yīng)的R2為選自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一種;所述R3為選自巰基、烯基、二烯基中的至少一種,所述交聯(lián)劑為選自C4-C20二烯烴或C4-C20二炔烴中的至少一種。
2.權(quán)利要求1的可交聯(lián)量子點,其中,所述可交聯(lián)量子點的量子點材料為選自CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS中的至少一種。
3.權(quán)利要求1或2的可交聯(lián)量子點,其中所述可交聯(lián)量子點包括紅色光量子點,綠色光量子點和藍色光量子點中的至少一種。
4.權(quán)利要求1或2的可交聯(lián)量子點,其中所述可交聯(lián)量子點是對紫外光敏感的。
5.權(quán)利要求1或2的可交聯(lián)量子點,其中所述可交聯(lián)量子點是對單色光敏感的。
6.權(quán)利要求5的可交聯(lián)量子點,其中所述可交聯(lián)量子點包括對I線敏感的綠色光量子點,對G線敏感的藍色光量子點,和對H線敏感的紅色光量子點中的至少一種。
7.一種制備權(quán)利要求1-6中任一項的可交聯(lián)量子點的方法,包括如下步驟:
步驟1:使量子點原料與吡啶接觸從而得到表面上帶有吡啶的量子點;
步驟2:使所述表面上帶有吡啶的量子點與交聯(lián)配體原料接觸,從而獲得所述可交聯(lián)量子點,其中所述交聯(lián)配體原料包括選自以下的至少一種:帶有R1和R2的配體,帶有R3的配體。
8.權(quán)利要求7的方法,其中,在所述步驟1中,使量子點原料與吡啶以大于1:1的重量比在常溫常壓下在攪拌下接觸5分鐘至10小時,然后用離心分離方法分離出表面上帶有吡啶的量子點。
9.權(quán)利要求7或8的方法,其中所述量子點原料帶有選自以下的至少一種配體:三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸。
10.權(quán)利要求7或8的方法,其中所述量子點原料包括以下的至少一種:紅色光量子點原料,綠色光量子點原料,和藍色光量子點原料。
11.權(quán)利要求7或8的方法,其中所述帶有R1和R2的配體包括帶羧基的特-丁氧基羰基保護的-C-甲基杯芳烴[4]和二苯基碘翁9,10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯,從而使得得到的可交聯(lián)量子點對I線敏感。
12.權(quán)利要求7或8的方法,其中所述帶有R1和R2的配體包括帶羧基的G線型線性酚醛樹脂和重氮萘醌,從而使得得到的可交聯(lián)量子點對G線敏感。
13.權(quán)利要求7或8的方法,其中所述帶有R1和R2的配體包括帶羧基的H線型線性酚醛樹脂和重氮萘醌,從而使得得到的可交聯(lián)量子點對H線敏感。
14.權(quán)利要求7或8的方法,其中所述R1為選自巰基、烯基、二烯基中的至少一種;與R1對應(yīng)的R2為選自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一種,從而使得得到的可交聯(lián)量子點對紫外線敏感。
15.一種陣列基板,包括襯底基板和設(shè)于所述襯底基板上的多個發(fā)光亞像素,所述發(fā)光亞像素每個包括依次形成于所述基板上的第一電極、量子點發(fā)光層和第二電極,其中所述量子點發(fā)光層包括通過使權(quán)利要求1-6中任一項的可交聯(lián)量子點交聯(lián)形成的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。
16.權(quán)利要求15的陣列基板,其中所述可交聯(lián)量子點的表面具有可發(fā)生反應(yīng)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團對R1和R2,所述交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)通過使所述可交聯(lián)量子點發(fā)生交聯(lián)而形成。
17.權(quán)利要求15或16的陣列基板,其中所述可交聯(lián)量子點的表面具有可由交聯(lián)劑交聯(lián)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團R3,所述交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)通過使所述可交聯(lián)量子點和所述交聯(lián)劑發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)而形成。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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