[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610021273.3
• 申請(qǐng)日: 2016-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106971936A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張啟陽(yáng);詹揚(yáng);杜亮;王軍;嚴(yán)強(qiáng)生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/18
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 高偉,馮永貞

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供第一晶圓和第二晶圓，并將所述第一晶圓和所述第二晶圓相接合；

步驟S2：在所述第二晶圓進(jìn)行圖案化之前蝕刻所述第二晶圓的邊緣，以去除所述第二晶圓的邊緣部分，以釋放所述第二晶圓中的應(yīng)力；

步驟S3：對(duì)所述第二晶圓進(jìn)行圖案化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，將所述第一晶圓和所述第二晶圓相接合之后還進(jìn)一步包括對(duì)所述第二晶圓進(jìn)行研磨打薄的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述蝕刻去除的所述第二晶圓邊緣的厚度為1.50～3.75um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述蝕刻去除的所述第二晶圓邊緣的寬度為8～12mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述第一晶圓位于承載晶圓上方，所述第二晶圓位于所述第一晶圓上方與所述第一晶圓相接合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中選用旋轉(zhuǎn)蝕刻方法蝕刻所述第二晶圓的邊緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中選用HNA蝕刻液蝕刻所述第二晶圓的邊緣。

8.一種基于權(quán)利要求1至7之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

9.一種電子裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件。