[發明專利]一種基于砷化銦襯底的II類超晶格結構及制備方法在審
| 申請號： | 201610020793.2 | 申請日： | 2016-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN105514189A | 公開（公告）日： | 2016-04-20 |
| 發明（設計）人： | 王芳芳;陳建新;徐志成;周易 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 砷化銦 襯底 ii 晶格 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于砷化銦襯底的II類超晶格結構，其結構自下而上依次為 GaAsxSb1-x層(1)和InAs層(2)，其特征在于：
所述的GaAsxSb1-x層(1)的厚度為2.1nm-3.6nm，組分x為0.0-0.5；
所述的InAs層(2)的厚度為2.1nm-10.5nm。
2.一種制備如權利要求1所述的一種基于砷化銦襯底的II類超晶格結構 的方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將In爐和Ga爐調至所需生長溫度；
2)將InAs襯底裝入分子束外延真空系統；
3)將InAs襯底溫度升至InAs/GaAsSbII類超晶格生長溫度；
4)將As閥和Sb閥開至II類超晶格生長所用閥位；
5)采用分子束外延方法在InAs襯底上依次外延GaAsxSb1-x層(1)和InAs 層(2)。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
