[發(fā)明專利]用于后續(xù)陽極氧化處理的壓鑄鋁合金外殼鋁基過渡涂層制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610020444.0
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105506567B
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁智濤;張亞梁;馬勝利
• 申請（專利權(quán)）人: 晨光真空技術(shù)（東莞）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/46;C23C14/16
• 代理公司: 西安恒泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216
• 代理人: 李鄭建

1.一種用于后續(xù)陽極氧化處理的壓鑄鋁合金外殼鋁基過渡涂層制備方法，其特征在于，具體按照下列步驟進行：

(1)純鋁合金壓鑄外殼經(jīng)表面除油、拋光后浸入丙酮中超聲波清洗，酒精脫水；

(2)將清洗處理的純鋁合金壓鑄外殼放入真空磁控濺射離子鍍設(shè)備的轉(zhuǎn)架臺上，轉(zhuǎn)架臺可以轉(zhuǎn)動，以保證鍍膜過程的均勻性；

(3)采用多個電弧Cr基靶或Ti基靶作為底層Cr基或Ti基的來源，在壓鑄鋁合金外殼表面沉積形成Cr基底層或Ti基底層；

(4)以多對均勻安裝在爐體內(nèi)壁上的平面Al靶作為Al的來源，用高純Ar作為靶材濺射氣體，通過調(diào)整中頻脈沖電源的電流控制所述多對平面Al靶的濺射率，在Cr基底層或Ti基底層上制備純Al涂層；

鍍膜工藝條件為：

A)壓鑄鋁合金手機外殼等離子體清洗：

壓鑄鋁合金外殼裝入真空磁控濺射離子鍍設(shè)備的真空室后，抽真空并加熱到100℃，保持真空室溫度始終不變，通入50ml/min的高純Ar進入到真空室，當真空室氣壓達到6Pa時，開啟偏壓電源，調(diào)整偏壓為-150V，對真空室內(nèi)的壓鑄鋁合金外殼表面進行刻蝕轟擊，持續(xù)30min；

B)Cr基底層或Ti基底層制備：

壓鑄鋁合金外殼經(jīng)等離子體清洗后，調(diào)節(jié)氬氣流量到30ml/min，將真空室氣壓調(diào)至0.3Pa，然后開啟Cr電弧靶或Ti基電弧靶電源，調(diào)節(jié)Cr基靶或Ti基靶電流為70A，偏壓電源的偏壓為-100V，在壓鑄鋁合金外殼表面制備Cr基底層或Ti基底層，沉積時間20min；

C)Al涂層制備：

Cr基底層或Ti基底層制備完成后，關(guān)閉Cr基電弧靶或Ti基電弧靶，電源偏壓-100V和氬氣流量30ml/min不變，在真空室溫度100℃、氣壓0.3Pa下，打開Al磁控靶，每對Al磁控靶電流為25A，在Cr基底層或Ti基底層上制備純Al涂層，沉積時間200min；

經(jīng)后續(xù)陽極氧化工藝處理后測試，氧化層外觀色澤均勻，氧化層顯微硬度為Hv500，樣品彎折180度后涂層無脫落，中性鹽霧試驗的耐蝕性超過48小時。