[發明專利]GaN器件的制作方法及GaN器件

有效

• 申請號: 201610019563.4
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN105655236B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 陳一峰
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06;H01L29/20
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 胡川

1.一種GaN器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供生長襯底，在所述生長襯底的上表面和下表面分別制作多個孔洞；

在所述生長襯底的上表面形成外延片，所述外延片包括位于所述生長襯底的上表面孔洞上橫向生長的成核層和位于所述成核層上的GaN器件結構；

在所述外延片上的預定區域制作貫通所述外延片的第一通孔，并在所述第一通孔內沉積金屬；

提供支撐基材，將所述支撐基材與所述外延片粘合固定；

對所述生長襯底的下表面進行減薄以去除所述下表面的孔洞，并在所述生長襯底的下表面相對所述第一通孔的位置制作貫通所述生長襯底的第二通孔，在所述第二通孔內沉積金屬，所述第一通孔與所述第二通孔相連通；

移除所述支撐基材。

2.根據權利要求1 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述生長襯底的上表面和下表面的孔洞為盲孔，且互不連通。

3. 根據權利要求2 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述生長襯底的下表面的孔洞深度大于所述生長襯底的上表面的孔洞深度。

4.根據權利要求1 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述生長襯底的上表面和下表面的孔洞相連通。

5.根據權利要求2 或4 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述孔洞在所述生長襯底上均勻分布，所述孔洞的形狀為圓形、橢圓形、四邊形、五邊形或六邊形。

6.根據權利要求1 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述GaN器件為GaN HEMT器件、GaN HBT器件、GaN MESFET器件或GaN MISFET器件。

7. 根據權利要求1 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述支撐基材的材料為Si、SiC、藍寶石、GaN或金剛石。

8.根據權利要求1 所述的GaN器件的制作方法，其特征在于，所述金屬為Cu或Au。

9.一種GaN器件，其特征在于，所述GaN器件包括生長襯底和生長在所述生長襯底上的外延片，所述生長襯底的上表面具有多個孔洞，所述外延片包括在所述孔洞上橫向生長形成的成核層和位于所述成核層上的GaN器件結構，在所述外延片上的預定區域具有貫通所述外延片的第一通孔，在所述生長襯底的下表面相對所述第一通孔的位置具有貫通所述生長襯底的第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔內均沉積有金屬，所述第一通孔和所述第二通孔相連通。