[發(fā)明專利]TFT結(jié)構(gòu)及其修復方法、GOA電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610018659.9
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105632439A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 闕祥燈
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT結(jié)構(gòu)及其修復方法、GOA 電路。

背景技術(shù)

液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有機身薄、省電、無輻射 等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用。如：液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理 (PDA)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占 主導地位。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示 面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體 管陣列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)與彩 色濾光片基板(ColorFilter，CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加 驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫 面。

主動矩陣式液晶顯示器(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay，AMLCD) 是目前最常用的液晶顯示器，包含多個像素，每個像素各受一個薄膜晶體管 (ThinFilmTransistor，TFT)的控制，該TFT的柵極連接至沿水平方向延 伸的掃描線，漏極連接至沿垂直方向延伸的數(shù)據(jù)線，源極連接至對應(yīng)的像素 電極。如果在水平方向的某一掃描線上施加足夠的正電壓，則會使得連接在 該條掃描線上的所有TFT打開，將數(shù)據(jù)線上所加載的數(shù)據(jù)信號電壓寫入像 素電極中，控制不同液晶的透光度進而達到控制色彩的效果。

主動矩陣式液晶顯示器水平掃描線的驅(qū)動(即柵極驅(qū)動)最初由外接的 集成電路(IntegratedCircuit，IC)來完成，外接的IC可以控制各級水平掃描 線的逐級充電和放電。GOA技術(shù)(GateDriveronArray)即陣列基板行驅(qū)動技 術(shù)，可以運用液晶顯示面板的陣列制程將水平掃描線的驅(qū)動電路制作在顯示 區(qū)周圍的基板上，使之能替代外接IC來完成水平掃描線的驅(qū)動。GOA技術(shù)能 減少外接IC的焊接(bonding)工序，有機會提升產(chǎn)能并降低產(chǎn)品成本，而 且可以使液晶顯示面板更適合制作窄邊框的顯示產(chǎn)品。

GOA電路由多個TFT構(gòu)成。圖1所示為現(xiàn)有的一種GOA電路中的TFT結(jié) 構(gòu)，包括由多個U形源極分支11相互連接構(gòu)成的梳型的源極、及由與多個U形 源極分支11相等數(shù)量的條狀漏極分支12構(gòu)成的漏極，一條狀漏極分支12對應(yīng) 一U型源極分支11的開口設(shè)置。所述U形源極分支11包括橫部111、及兩垂直 連接于橫部111的縱部112，所述多個U形源極分支11的橫部111連成一體，相 鄰的兩個U形源極分支11共用一縱部112；多個條狀漏極分支12連接同一金屬 線，所述多個U形源極分支11均通過同一連接部113連接至另一金屬線。圖1 所示的TFT結(jié)構(gòu)，當其中一U形源極分支11及其對應(yīng)的條狀漏極分支12出現(xiàn)缺 陷時，將導致整個TFT電性失效且無法進行修復，從而導致采用該TFT結(jié)構(gòu)的 GOA電路出現(xiàn)邏輯錯誤，甚至造成整個面板報廢。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT結(jié)構(gòu)，易于修復。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種TFT修復方法，能夠有效修復TFT的缺陷， 提高修復成功率。

本發(fā)明的目的還在于提供一種GOA電路，能夠提升GOA電路的制作良率， 降低GOA電路的生產(chǎn)成本。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT結(jié)構(gòu)，包括：源極、與所述源極 相對設(shè)置的漏極、以及設(shè)于源極和漏極下方或上方的與所述源極和漏極相互絕 緣的柵極；

所述源極包括多個沿第一方向間隔排列的獨立U形源極分支，所述漏極包 括多個沿第一方向間隔排列的條狀漏極分支；

一條狀漏極分支對應(yīng)設(shè)于一獨立U形源極分支的開口內(nèi)；

每一獨立U形源極分支各通過一連接部單獨連接至第一金屬線；所述多個 條狀漏極分支均電性連接至第二金屬線。

每一獨立U形源極分支均包括沿第一方向延伸的橫部、及垂直連接于所述 橫部的兩端的兩縱部。

每一連接部由對應(yīng)的獨立U形源極分支的橫部引出，并延伸至第一金屬 線，實現(xiàn)每一獨立U形源極分支與第一金屬線的單獨連接。

所述條狀漏極分支平行于所述獨立U形源極分支的縱部。

所述的TFT結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于所述源極和漏極下方的有源層。