[發(fā)明專利]一種氮化物單晶生長裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610017711.9 | 申請日： | 2016-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN105442046B | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 巫永鵬;羅睿宏;陳蛟;張國義 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司;北京大學(xué)東莞光電研究院 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523518 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氮化物 生長 裝置 方法 | ||
1.一種氮化物單晶生長裝置，包括反應(yīng)釜，反應(yīng)釜內(nèi)設(shè)置的晶種支撐裝置，及連動裝置，其特征在于，所述晶種支撐裝置為多孔的空心殼體結(jié)構(gòu)，表面通孔與空心殼體內(nèi)部連通，側(cè)面通孔具有擋片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，所述反應(yīng)釜內(nèi)填充反應(yīng)物溶液，所述晶種支撐裝置，在單晶生長過程中，完全浸沒在反應(yīng)物溶液中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，所述晶種支撐裝置側(cè)面設(shè)有擋片，擋片具有統(tǒng)一形狀、大小，擋片與側(cè)面通孔相連；擋片與側(cè)面間的傾斜角度為10～80度，擋片向通孔一側(cè)傾斜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，所述晶種支撐裝置與連動裝置相連，所述連動裝置轉(zhuǎn)動帶動晶種支撐裝置轉(zhuǎn)動，轉(zhuǎn)動方向與擋片傾斜方向相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，所述連動裝置在豎直方向可伸縮，帶動晶種支撐裝置在豎直方向上下移動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，將晶種模板，固定放置于所述晶種支撐裝置內(nèi)部，晶種模板與通孔相距1～10mm；晶種模板跟隨晶種支撐裝置同步轉(zhuǎn)動；所述晶種模板，或固定于反應(yīng)釜內(nèi)壁，晶種模板與通孔相距1～10mm ；晶種模板不跟隨晶種支撐裝置轉(zhuǎn)動。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，所述晶種模板豎直放置、水平放置或以任何傾角傾斜放置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物單晶生長裝置，其特征在于，所述晶種支撐裝置，其形狀為圓柱形、方柱形、橢圓柱形及其他任何具有空心殼體結(jié)構(gòu)的幾何形體。
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