[發(fā)明專利]低溫離子植入方法及低溫離子植入機(jī)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610017577.2 | 申請日: | 2016-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN105789033A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安瓦爾·侯塞因;應(yīng)子原;盛天予 | 申請(專利權(quán))人: | 漢辰科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/265 | 分類號: | H01L21/265;H01J37/302;H01J37/317 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 徐偉 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣寶山鄉(xiāng)*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低溫 離子 植入 方法 | ||
1.一種低溫離子植入方法,其特征在于,包含下列步驟:
將一工件預(yù)冷至一第一溫度,以符合一低溫離子植入的一工藝配方;
根據(jù)該工藝配方對該工件進(jìn)行植入;及
在該工件被送回一前開式傳送盒前,在一裝載艙后熱該工件至一第二溫 度,且該第二溫度高于該第一溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫離子植入方法,其特征在于,該第一溫度明 顯地低于一室溫;該第二溫度等于或高于一露點(diǎn),而該露點(diǎn)是指開始將該工件 自一真空態(tài)轉(zhuǎn)換至一常態(tài)當(dāng)下的露點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫離子植入方法,其特征在于,該第一溫度等 于或低于-40℃。
4.如權(quán)利要求1所述的低溫離子植入方法,其特征在于,預(yù)冷該工件的 步驟包含:在移送該工件至符合該工藝配方的一處理室前,使用一冷卻裝置, 經(jīng)由一冷卻管路冷卻一靜電吸盤,其中該冷卻管路連接該靜電吸盤及該冷卻裝 置。
5.如權(quán)利要求1所述的低溫離子植入方法,其特征在于,預(yù)冷該工件的 步驟是在一冷卻室進(jìn)行,且該冷卻室連接符合該工藝配方的一處理室。
6.如權(quán)利要求1所述的低溫離子植入方法,其特征在于,后熱該工件的 步驟包含:使用安裝于該工藝配方的一處理室外的至少一燈管構(gòu)件加熱該工 件。
7.一種離子植入機(jī),其特征在于,包含:
一處理室,其中在該處理室內(nèi)依一低溫離子植入的一工藝配方對一工件進(jìn) 行離子植入;
一前開式傳送盒,用以傳送一工件進(jìn)出該處理室;
一裝載艙,位于該前開式傳送盒及該處理室之間;
一冷卻模塊,能在離子植入該工件前,將該工件預(yù)冷到一第一溫度,以配 合該工藝配方;及
一加熱模塊,安裝于該裝載艙,能在該工件回到該前開式傳送盒前,后熱 該工件到一第二溫度,其中該第二溫度高于該第一溫度。
8.如權(quán)利要求7所述的離子植入機(jī),其特征在于,該冷卻模塊更包含:
一冷卻室,與該處理室連通;
一靜電吸盤,安裝于該冷卻室,用以抓取該工件;
一冷卻裝置,裝于該冷卻室外面;及
一冷卻管路,連接該靜電吸盤及該冷卻裝置,其中該冷卻裝置經(jīng)由該冷卻 管路冷卻該靜電吸盤。
9.如權(quán)利要求8所述的離子植入機(jī),其特征在于,該冷卻模塊更包含一 熱敏電阻,其設(shè)置于該靜電吸盤上,用以監(jiān)測該靜電吸盤的溫度。
10.如權(quán)利要求8所述的離子植入機(jī),其特征在于,該冷卻模塊更包含一 傳感器,其設(shè)置于該冷卻室,用以偵測該工件的位置。
11.如權(quán)利要求8所述的離子植入機(jī),其特征在于,該冷卻模塊更包含一 傳感器,其設(shè)置于該冷卻室,用以偵測該工件的出現(xiàn)。
12.如權(quán)利要求7所述的離子植入機(jī),其特征在于,該加熱模塊安裝于該 裝載艙并形成覆蓋于該裝載艙上的一蓋體。
13.如權(quán)利要求12所述的離子植入機(jī),其特征在于,該加熱模塊更包含:
一箱體;
一石英窗,遮蓋該箱體而形成該蓋體;及
至少一燈管構(gòu)件,安裝于該箱體及該石英窗之間。
14.如權(quán)利要求13所述的離子植入機(jī),其特征在于,該加熱模塊更包含 一反射器,其位于該箱體的一內(nèi)表面。
15.一種低溫離子植入方法,其特征在于,包含下列步驟:
使用一冷卻裝置并經(jīng)由一冷卻管路冷卻一靜電吸盤,將一工件預(yù)冷至一第 一溫度,以配合低溫離子植入的一工藝配方,其中該冷卻管路連接于該靜電吸 盤及該冷卻裝置之間;
傳送該工件至符合該工藝配方的一處理室;
根據(jù)該工藝配方在該處理室內(nèi)對該工件進(jìn)行一離子植入;
在一裝載艙使用至少一加熱裝置加熱該工件,以后熱該工件至一第二溫 度,其中該第二溫度高于該第一溫度,且該加熱裝置安裝于該處理室之外;及
將該工件送回一前開式傳送盒。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





