[發明專利]高焊線質量的芯片框架及其制造方法

有效

• 申請號: 201610017356.5
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105489506B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 許兵;樊增勇;李寧;崔金忠
• 申請（專利權）人: 成都先進功率半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 四川力久律師事務所51221
• 代理人: 王蕓,熊曉果

1.高焊線質量的芯片框架，包括框架本體，其特征在于，所述框架本體分為用于封裝芯片的框架正面和與框架正面對應的框架背面，所述框架正面涂敷有鈀銀金鎳保護層，所述框架背面涂敷有鎳鈀金保護層。

2.根據權利要求1所述的高焊線質量的芯片框架，其特征在于，所述框架正面涂敷的鈀銀金鎳保護層為從內到外的多層結構，且從內到外依次為正面Ni層、正面Pd層、正面Ag層和正面Au層，其中Ni為鎳，Pd為鈀，Ag為銀，Au為金。

3.根據權利要求2所述的高焊線質量的芯片框架，其特征在于，所述正面Ni層的厚度為0.5-2.0um，所述正面Pd層的厚度為0.02-0.15um，所述正面Ag層的厚度不小于0.1um，所述正面Au層的厚度不小于0.003um。

4.根據權利要求1-3之一所述的高焊線質量的芯片框架，其特征在于，所述框架背涂敷的鎳鈀金保護層為從內到外的多層結構，且從內到外依次為背面Ni層、背面Pd層和背面Au層。

5.根據權利要求4所述的高焊線質量的芯片框架，其特征在于，所述背面Ni層的厚度為0.5-2.0um，所述背面Pd層的厚度為0.02-0.15um，所述背面Au層的厚度不小于0.003um。

6.一種芯片框架的制造方法，其特征在于，制造如權利要求1-5之一所述的高焊線質量的芯片框架的具體步驟如下：

（1）準備制作框架的優質基材銅；

（2）將基材銅制作成裸銅框架，框架表面平整光潔無污染；

（3）采用電鍍的方法在裸銅框架的一面鍍上鈀銀金鎳保護層或鎳鈀金保護層，待該面保護層電鍍完成后再進行框架另一面的電鍍操作，另一面電鍍上另外一種保護層；

（4）電鍍完成后對框架表面雜質進行清理，存架待用。

7.根據權利要求6所述的芯片框架的制造方法，其特征在于，步驟（3）中，鈀銀金鎳保護層各種材料的涂敷先后順序為：Ni-Pd-Ag-Au；鎳鈀金保護層各個材料的涂敷先后順序為：Ni-Pd-Au。

8.根據權利要求7所述的芯片框架的制造方法，其特征在于，在電鍍過程中,框架正面的電鍍液和框架背面的電鍍液不能相互污染。

9.根據權利要求8所述的芯片框架的制造方法，其特征在于，在電鍍過程中，框架正面電鍍的Ag材料不能泄漏到框架背面上，在框架正面鍍銀操作時應采用隔離紙或板遮擋框架的背面。