[發明專利]一種薄膜晶體管及制作方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201610016936.2
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN105428243B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 敏健;李小龍;許正印;高濤;李棟;張帥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L29/08
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括：

在襯底基板上形成有源層，其中所述有源層中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域的厚度大于所述有源層中源、漏極區域之間的半導體區域的厚度；

采用構圖工藝在所述有源層上形成柵極，在所述有源層中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域在與源極和漏極電性相連的部分形成凹槽，且在所述凹槽處形成源極和漏極的圖案；

其中，在襯底基板上依次形成有源層，其中所述有源層中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域的厚度大于所述有源層中源、漏極區域之間的半導體區域的厚度，包括：

在襯底基板上形成多晶硅層；

采用一次構圖和兩次刻蝕的工藝，使所述多晶硅形成有源層的圖案，所述有源層的圖案中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域的厚度大于所述有源層中源、漏極區域之間的半導體區域的厚度；

其中，采用一次構圖和兩次刻蝕的工藝，使所述多晶硅形成有源層的圖案，所述有源層的圖案中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域的厚度大于所述有源層中源、漏極區域之間的半導體區域的厚度，包括：

在所述多晶硅層上涂覆光刻膠，并采用掩膜版對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區域、光刻膠部分保留區域和光刻膠完全去除區域，其中所述光刻膠完全保留區域對應所述用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域，所述光刻膠部分保留區域對應所述用于形成源、漏極區域之間的半導體區域；

第一次刻蝕所述光刻膠完全去除區域所對應的多晶硅層，使所述光刻膠完全去除區域所對應的多晶硅層完全去除；

采用灰化工藝，灰化掉所述光刻膠部分保留區域的光刻膠，且使光刻膠完全保留區域的光刻膠變薄；

第二次刻蝕所述光刻膠部分保留區域所對應的多晶硅層，形成有源層的圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的截面寬度小于所述用于形成薄膜晶體管的源極區域或漏極區域的截面寬度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成有源層的圖案后，該方法還包括：

剝離光刻膠完全保留區域所對應的光刻膠。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第二次刻蝕所述光刻膠部分保留區域所對應的多晶硅層，包括：

干刻所述光刻膠部分保留區域所對應的多晶硅層，使所述光刻膠部分保留區域所對應的多晶硅層的厚度小于光刻膠完全保留區域所對應的多晶硅層的厚度，且所述光刻膠部分保留區域所對應的多晶硅層的厚度大于零。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調掩膜板、灰色調掩膜板或具有狹縫的掩膜板。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用構圖工藝在所述有源層上形成柵極，在所述有源層中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域在與源極和漏極電性相連的部分形成凹槽，且在所述凹槽處形成源極和漏極的圖案，包括：

采用構圖工藝在所述有源層上依次形成柵極絕緣層、柵極和層間絕緣層；

在所述有源層中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域所對應的層間絕緣層以及柵極絕緣層的區域中形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔用于使形成的源極與所述有源層電性相連，所述第二過孔用于使形成的漏極與所述有源層電性相連；

在所述第一過孔處形成源極圖案，同時在所述第二過孔處形成漏極圖案。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一過孔處形成源極圖案，同時在所述第二過孔處形成漏極圖案，包括：

在所述層間絕緣層上形成光刻膠層，所述光刻膠層不包括第一過孔和第二過孔所對應的區域；

采用離子注入方式以及構圖工藝在所述第一過孔處形成源極圖案，同時在所述第二過孔處形成漏極圖案。

8.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括權利要求1-7任一權項所述的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括位于襯底基板上的有源層、位于所述有源層上且與所述有源層電性相連的源極和漏極，以及位于所述有源層上的柵極，所述有源層中用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域的厚度大于所述有源層中源、漏極區域之間的半導體區域的厚度；

其中，所述有源層中在用于形成薄膜晶體管的源極區域和漏極區域中在與所述源極和漏極電性相連的部分形成凹槽。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求8所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。